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Excitonic parameters of GaN studied by time-of-flight spectroscopy
Applied physics letters, 2011-09, Vol.99 (10), p.101108-101108-3
2011
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Mechanism for low-temperature photoluminescence in GaNAs/GaAs structures grown by molecular-beam epitaxy
Applied physics letters, 1999-07, Vol.75 (4), p.501-503
1999
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Metastable behavior of the UV luminescence in Mg-doped GaN layers grown on quasibulk GaN templates
Applied physics letters, 2007-11, Vol.91 (22), p.221901-221901-3
2007
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Luminescence from stacking faults in 4H SiC
Applied physics letters, 2001-12, Vol.79 (24), p.3944-3946
2001
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Time-resolved studies of photoluminescence in GaNxP1−x alloys: Evidence for indirect-direct band gap crossover
Applied physics letters, 2002-07, Vol.81 (1), p.52-54
2002
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Dynamics of bound excitons versus thickness in freestanding GaN wafers grown by halide vapor phase epitaxy
Applied physics letters, 2007-05, Vol.90 (22), p.221904-221904-3
2007
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Structural defects in electrically degraded 4H-SiC p+/n−/n+ diodes
Applied physics letters, 2002-06, Vol.80 (25), p.4852-4854
2002
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Mechanism for rapid thermal annealing improvements in undoped GaNxAs1−x/GaAs structures grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2000-10, Vol.77 (15), p.2325-2327
2000
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Observation of recombination enhanced defect annealing in 4H-SiC
Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (9), p.091903-091903-3
2005
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A 4.5 kV 6H silicon carbide rectifier
Applied physics letters, 1995-09, Vol.67 (11), p.1561-1563
1995
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Open Access
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Radiative recombination of GaInNP alloys lattice matched to GaAs
Applied physics letters, 2006-01, Vol.88 (1), p.011919-011919-3
2006
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Bound exciton dynamics in GaN grown by hydride vapor-phase epitaxy
Applied physics letters, 1999-12, Vol.75 (26), p.4124-4126
1999
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Optical properties of doped InGaN/GaN multiquantum-well structures
Applied physics letters, 1999-05, Vol.74 (22), p.3299-3301
1999
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The minority carrier lifetime of n -type 4H- and 6H-SiC epitaxial layers
Applied physics letters, 1996-07, Vol.69 (5), p.679-681
1996
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Photoluminescence related to the two-dimensional electron gas at a GaN/AlGaN heterointerface
Applied physics letters, 1996-12, Vol.69 (23), p.3456-3458
1996
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  • BibTeX
A 3 kV Schottky barrier diode in 4H-SiC
Applied physics letters, 1998-01, Vol.72 (4), p.445-447
1998
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Mechanism for radiative recombination in ZnCdO alloys
Applied physics letters, 2007-06, Vol.90 (26), p.261907-261907-3
2007
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Open Access
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Effect of annealing on metastable shallow acceptors in Mg-doped GaN layers grown on GaN substrates
Applied physics letters, 2008-04, Vol.92 (15), p.151904-151904-3
2008
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Optical spectroscopy of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy using indium surfactant
Applied physics letters, 2000-06, Vol.76 (23), p.3388-3390
2000
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Intrinsic optical properties of GaN epilayers grown on SiC substrates: Effect of the built-in strain
Applied physics letters, 1996-08, Vol.69 (9), p.1255-1257
1996
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Open Access
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Time-resolved spectroscopy of strained GaN/AlN/6H–SiC heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2001-02, Vol.78 (8), p.1062-1064
2001
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Pseudodonor nature of the D-I defect in 4H-SiC
Applied physics letters, 2001, Vol.78 (1), p.46
2001
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High quality 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition
Applied physics letters, 1995-03, Vol.66 (11), p.1373-1375
1995
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Time-resolved decay of the blue emission in porous silicon
Applied physics letters, 1994-11, Vol.65 (19), p.2451-2453
1994
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Photoluminescence study of Si-doped GaN∕Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells with different dopant position
Applied physics letters, 2004-06, Vol.84 (25), p.5071-5073
2004
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