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Journal of crystal growth, 2008-10, Vol.310 (20), p.4424-4429
2008
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Journal of crystal growth, 2010-05, Vol.312 (11), p.1828-1837
2010
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Journal of crystal growth, 2008-10, Vol.310 (20), p.4430-4437
2008
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Journal of applied physics, 2004-11, Vol.96 (9), p.4909-4915
2004
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Journal of applied physics, 1997-05, Vol.81 (9), p.6155-6159
1997
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Solid-state electronics, 1997-02, Vol.41 (2), p.239-241
1997
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Physica. B, Condensed matter, 2006-04, Vol.376, p.473-476
2006
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Thin solid films, 2006-10, Vol.515 (2), p.460-463
2006
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Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997, Vol.43 (1), p.172-175
1997
Volltextzugriff (PDF)

Physica status solidi. B, Basic research, 1997-07, Vol.202 (1), p.321-334
1997
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High temperature CVD growth of SiC
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1999-07, Vol.61, p.113-120
1999
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A 4.5 kV 6H silicon carbide rectifier
Applied physics letters, 1995-09, Vol.67 (11), p.1561-1563
1995
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Physica. B, Condensed matter, 2006-04, Vol.376, p.460-463
2006
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Ion implantation of silicon carbide
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2002, Vol.186 (1), p.186-194
2002
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Defects in SiC
Physica. B, Condensed matter, 2003-12, Vol.340-342, p.15-24
2003
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Exciton Lifetimes in GaN
MRS proceedings, 1995, Vol.395, Article 709
1995
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Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2002-05, Vol.93 (1), p.112-122
2002
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Free Excitons in GaN
MRS Internet journal of nitride semiconductor research, 1996, Vol.1, Article e2
1996
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Materials science in semiconductor processing, 2001-02, Vol.4 (1-3), p.181-186
2001
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Optical signatures of dopants in GaN
Materials science in semiconductor processing, 2006-02, Vol.9 (1), p.168-174
2006
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Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, 2007, p.285-288
2007
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