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Polar and nonpolar GaN grown by HVPE: Preferable substrates for nitride-based emitting devices
Physica status solidi. A, Applied research, 2004-08, Vol.201 (10), p.2265-2270
2004
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Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
Physica status solidi. C, 2006-06, Vol.3 (6), p.1888-1891
2006
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Hopping conductivity in heavily doped strongly compensated GaAs
Physica Status Solidi (b), 1979-01, Vol.91 (1), p.311-318
1979
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Electron mobility in heavily doped gallium arsenide due to scattering by potential fluctuations
Journal of physics. C, Solid state physics, , Vol.12 (19), p.L765-L769
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Super stable foams stabilized by colloidal ethyl cellulose particles
Soft matter, 2012, Vol.8 (7), p.2194-2205
2012
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Zeitschrift / SerieJournal Of Applied Physics
ThemaCondensed Matter Physics
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