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Open Access
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Universal non-polar switching in carbon-doped transition metal oxides (TMOs) and post TMOs
APL materials, 2022-04, Vol.10 (4), p.040904-040904-12
2022
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Performance and Variability of Doped Multithreshold FinFETs for 10-nm CMOS
IEEE transactions on electron devices, 2014-10, Vol.61 (10), p.3372-3378
2014
Open Access
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ASAP7: A 7-nm finFET predictive process design kit
Microelectronics, 2016-07, Vol.53, p.105-115
2016
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A 90-nm logic technology featuring strained-silicon
IEEE transactions on electron devices, 2004-11, Vol.51 (11), p.1790-1797
2004
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A logic nanotechnology featuring strained-silicon
IEEE electron device letters, 2004-04, Vol.25 (4), p.191-193
2004
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Physics of Hole Transport in Strained Silicon MOSFET Inversion Layers
IEEE transactions on electron devices, 2006-08, Vol.53 (8), p.1840-1851
2006
Open Access
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Simulation Study of the Impact of Quantum Confinement on the Electrostatically Driven Performance of n-type Nanowire Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2015-10, Vol.62 (10), p.3229-3236
2015
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Predictive Simulation and Benchmarking of Si and Ge pMOS FinFETs for Future CMOS Technology
IEEE transactions on electron devices, 2014-07, Vol.61 (7), p.2271-2277
2014
Open Access
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Predicting future complementary metal–oxide–semiconductor technology – challenges and approaches
IET computers & digital techniques, 2016-11, Vol.10 (6), p.315-322
2016
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Open Access
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Near-threshold computing in FinFET technologies: Opportunities for improved voltage scalability
2016 53nd ACM/EDAC/IEEE Design Automation Conference (DAC), 2016, p.1-6
2016
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Extreme Temperature (> 200 °C), Radiation Hard (> 1 Mrad), Dense (sub-50 nm CD), Fast (2 ns write pulses), Non-Volatile Memory Technology
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2022, p.1-4
2022
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A Physically-Based Analytic Model for Stress-Induced Hole Mobility Enhancement
Journal of computational electronics, 2004-10, Vol.3 (3-4), p.161-164
2004
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Physical design and FinFETs
Proceedings of the 2014 on international symposium on physical design, 2014, p.65-68
2014
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Impact of FinFET on Near-Threshold Voltage Scalability
IEEE design and test, 2017-04, Vol.34 (2), p.31-38
2017
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