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  • BibTeX
Universal non-polar switching in carbon-doped transition metal oxides (TMOs) and post TMOs
APL materials, 2022-04, Vol.10 (4), p.040904-040904-12
2022
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  • BibTeX
Fatigue-free ferroelectric capacitors with platinum electrodes
Nature (London), 1995-04, Vol.374 (6523), p.627-629
1995
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  • BibTeX
Fatigue and switching in ferroelectric memories : theory and experiment
Journal of applied physics, 1990-12, Vol.68 (11), p.5783-5791
1990
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  • BibTeX
Structure and Device Characteristics of SrBi2Ta2O9-Based Nonvolatile Random-Access Memories
MRS bulletin, 1996-07, Vol.21 (7), p.33-39
1996
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  • BibTeX
Ferroelectric Memories
Science (American Association for the Advancement of Science), 1989-12, Vol.246 (4936), p.1400-1405
1989
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  • BibTeX
Recent results on switching, fatigue and electrical characterization of sol-gel based PZT capacitors
Ferroelectrics, 1991-04, Vol.116 (1), p.79-93
1991
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  • BibTeX
Low temperature process for strontium bismuth tantalate thin films
Integrated ferroelectrics, 2000-10, Vol.30 (1-4), p.1-8
2000
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  • BibTeX
Process optimization and characterization of device worthy sol-gel based PZT for ferroelectric memories
Ferroelectrics, 1990-12, Vol.112 (1), p.329-351
1990
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  • BibTeX
Statistical theory of fatigue in ferroelectric devices
Integrated ferroelectrics, 1992-07, Vol.1 (2-4), p.305-322
1992
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  • BibTeX
Process Integration of Embedded FeRAMs
Journal of electroceramics, 1999-06, Vol.3 (2), p.135-142
1999
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  • BibTeX
Electrical properties of Y1-based ferroelectric gate MOS capacitors for nonvolatile memory applications
Integrated ferroelectrics, 1999-11, Vol.27 (1-4), p.19-29
1999
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  • BibTeX
Process dependent electrical characteristics and equivalent circuit model of sol-gel based PZT capacitors
Integrated ferroelectrics, 1992-07, Vol.1 (2-4), p.269-291
1992
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  • BibTeX
Characterization of an N-channel 1T-1C nonvolatile memory cell using ferroelectric SrBi2Ta2O9 as the capacitor dielectric
Integrated ferroelectrics, 1995-01, Vol.11 (1-4), p.145-160
1995
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  • BibTeX
Thickness dependence of D.C. leakage current in lead zirconate-titanate (PZT) memories
Ferroelectrics, 1992-10, Vol.135 (1), p.163-168
1992
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  • BibTeX
Space charge capacitance of ferroelectric memory cells in the nonlinear regime
Integrated ferroelectrics, 1996-12, Vol.13 (4), p.247-256
1996
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  • BibTeX
Deposition of Ba1−xSrxTiO3 and SrTiO3 via liquid source CVD (LSCVD) for ULSI DRAMS
Integrated ferroelectrics, 1994-06, Vol.4 (4), p.319-324
1994
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  • BibTeX
Characterization of self-patterned SrBi2Ta2O9 thin films from photo-sensitive solutions
Integrated ferroelectrics, 1997-01, Vol.16 (1-4), p.41-52
1997
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  • BibTeX
Integration technology of ferroelectrics and the performance of the integrated ferroelectrics
Integrated ferroelectrics, 1995-11, Vol.11 (1-4), p.229-245
1995
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  • BibTeX
Some new Results on Strontium Bismuth Tantalate Thin-Film Ferroelectric Memory Materials
MRS proceedings, 1996, Vol.433, Article 77
1996
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  • BibTeX
Device effects of various Zr/Ti ratios of PZT thin-films prepared by sol-gel method
Integrated ferroelectrics, 1992-07, Vol.1 (2-4), p.293-304
1992
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  • BibTeX
Preparation of ferroelectric thin films of bismuth layer structured compounds
Japanese Journal of Applied Physics, 1995, Vol.34 (9B), p.5240-5244
1995
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  • BibTeX
Yttrium oxide based metal-insulator-semiconductor structures on silicon
Thin solid films, 1989-03, Vol.170 (2), p.185-189
1989
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  • BibTeX
Radiation damage in ferroelectric thin-film memories
Ferroelectrics, 1991-04, Vol.116 (1), p.107-110
1991
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  • BibTeX
TdI10: Ferroelectric thin films in integrated microelectronic devices
Ferroelectrics, 1992-08, Vol.133 (1), p.47-60
1992
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  • BibTeX
Rapid thermal diffusion of zinc into GaAs
Journal of electronic materials, 1990, Vol.19 (1), p.29-34
1990
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