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New insights into the role of native point defects in ZnO
Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (1), p.58-65
2006
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Defect reduction in (11–22) semipolar GaN with embedded InN islands on m-plane sapphire
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.26-29
2013
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Theoretical investigations for the polytypism in semiconductors
Journal of crystal growth, 2011-03, Vol.318 (1), p.141-144
2011
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A brief history of defect formation, segregation, faceting, and twinning in melt-grown semiconductors
Journal of crystal growth, 2004-03, Vol.264 (4), p.550-564
2004
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Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth (FACELO)
Journal of crystal growth, 2000-12, Vol.221 (1), p.316-326
2000
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Investigation of oxygen defects in wurtzite InN by using density functional theory
Journal of crystal growth, 2016-12, Vol.456, p.168-173
2016
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Strain controlled growth of crack-free GaN with low defect density on silicon (1 1 1) substrate
Journal of crystal growth, 2011-01, Vol.315 (1), p.211-215
2011
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Growth of low defect AlGaSb films on Si (100) using AlSb and InSb quantum dots intermediate layers
Journal of crystal growth, 2011-05, Vol.323 (1), p.405-408
2011
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Volume production of high quality SiC substrates and epitaxial layers: Defect trends and device applications
Journal of crystal growth, 2012-08, Vol.352 (1), p.39-42
2012
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Effects of doping concentration and annealing temperature on properties of highly-oriented Al-doped ZnO films
Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (1), p.78-84
2006
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Improved GaN-based LED grown on silicon (111) substrates using stress/dislocation-engineered interlayers
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.265-268
2013
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Defect states of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by controlled integration of silica nano-spheres
Journal of crystal growth, 2013-05, Vol.370, p.78-81
2013
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Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers
Journal of crystal growth, 2007, Vol.298, p.257-260
2007
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Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0 0 0 1) substrate
Journal of crystal growth, 2007, Vol.298, p.310-315
2007
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  • BibTeX
Atomistic modeling of strain distribution in self-assembled interfacial misfit dislocation (IMF) arrays in highly mismatched III–V semiconductor materials
Journal of crystal growth, 2007-05, Vol.303 (2), p.449-455
2007
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  • BibTeX
A simple approach to temperature dependence of strain energy: Application to GaN-based semiconductors
Journal of crystal growth, 2007-04, Vol.301, p.62-66
2007
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  • BibTeX
Growth behavior and defect reduction in heteroepitaxial InAs and GaSb on GaAs using block copolymer lithography
Journal of crystal growth, 2011-01, Vol.315 (1), p.91-95
2011
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  • BibTeX
Defects and their charge imaging on semiconductor surfaces by noncontact atomic force microscopy and spectroscopy
Journal of crystal growth, 2000-03, Vol.210 (1), p.408-415
2000
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  • BibTeX
Ab initio study of ZnO- and GaN-based diluted magnetic semiconductors and its magnetic properties
Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (1), p.74-77
2006
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Monolithic integration of InP-based transistors on Si substrates using MBE
Journal of crystal growth, 2009-03, Vol.311 (7), p.1979-1983
2009
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Interface engineering for improved growth of GaSb on Si(111)
Journal of crystal growth, 2011-05, Vol.323 (1), p.401-404
2011
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Characterization of Cu(In,Ga)Se2 grown by MBE by two-wavelength excited photoluminescence spectroscopy
Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.162-164
2013
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  • BibTeX
Hydrogen-related defects in InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors
Journal of crystal growth, 2008-11, Vol.310 (23), p.5223-5226
2008
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Open Access
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Growth of high quality InP layers in STI trenches on miscut Si (0 0 1) substrates
Journal of crystal growth, 2011, Vol.315 (1), p.32-36
2011
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Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN
Journal of crystal growth, 2011-01, Vol.315 (1), p.188-191
2011
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