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1.3- \mu m Reflection Insensitive InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Directly Grown on Silicon

IEEE photonics technology letters, 2019-03, Vol.31 (5), p.345-348

2019

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Room temperature low frequency noise in n+-InAs/n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP double heterostructure infrared photodiodes

Semiconductor science and technology, 2019-10, Vol.34 (10), p.105015

2019

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Reactive Oxygen Species–Activated Ca/Calmodulin Kinase IIδ Is Required for Late INa Augmentation Leading to Cellular Na and Ca Overload

Circulation research, 2011-03, Vol.108 (5), p.555-565

2011

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Molecular Beam Epitaxy Growth of GaAs/InAs Core–Shell Nanowires and Fabrication of InAs Nanotubes

Nano letters, 2012-11, Vol.12 (11), p.5559-5564

2012

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Ballistic InAs Nanowire Transistors

Nano letters, 2013-02, Vol.13 (2), p.555-558

2013

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High efficiency low threshold current 1.3 μm InAs quantum dot lasers on on-axis (001) GaP/Si

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (12)

2017

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Anne-Marie du Boccage: La Colombiade (1756) – Die Columbiade (1762): Édition bilingue, établie et présentée par Ina Schabert – Zweisprachige kritische Edition, herausgegeben von Ina Schabert

1st Aufl 2021st edition, 2021

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Beispielhaftes INA Dossier: Bürgermedien in NRW

API Magazin, 2020-01, Vol.1 (1)

2020

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A comparative study between Cu(INA) 2 -MOF and [Cu(INA) 2 (H 2 O) 4 ] complex for a click reaction and the Biginelli reaction under solvent-free conditions

RSC advances, 2020-01, Vol.10 (6), p.3407-3415

2020

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Van der Waals Epitaxial Double Heterostructure: InAs/Single-Layer Graphene/InAs

Advanced materials (Weinheim), 2013-12, Vol.25 (47), p.6847-6853

2013

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Anne-Marie du Boccage: Édition Bilingue, établie et Présentée Par Ina Schabert - Zweisprachige Kritische Edition, Herausgegeben Von Ina Schabert

1, 2021

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Robust helical edge transport in gated InAs/GaSb bilayers

Physical review letters, 2015-03, Vol.114 (9), p.096802-096802, Article 096802

2015

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Optically pumped 1.3 μm room-temperature InAs quantum-dot micro-disk lasers directly grown on (001) silicon

Optics letters, 2016-04, Vol.41 (7), p.1664-1667

2016

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Four Caribbean Women Playwrights: Ina Césaire, Maryse Condé, Gerty Dambury and Suzanne Dracius

Lee, Vanessa

1, 2021

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InAs/GaSb thin layers directly grown on nominal (0 0 1)-Si substrate by MOVPE for the fabrication of InAs FINFET

Journal of crystal growth, 2019-03, Vol.510, p.18-22

2019

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InAs-Si Nanowire Heterojunction Tunnel FETs

IEEE electron device letters, 2012-10, Vol.33 (10), p.1453-1455

2012

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InAs-Based Interband Cascade Lasers

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2019-11, Vol.25 (6), p.1-8

2019

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Spin-Resolved Magneto-Tunneling and Giant Anisotropic g‑Factor in Broken Gap InAs-GaSb Core–Shell Nanowires

Nano letters, 2024-01, Vol.24 (3), p.790-796

2024

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Uncooled Photodetector at Short-Wavelength Infrared Using InAs Nanowire Photoabsorbers on InP with p–n Heterojunctions

Nano letters, 2018-12, Vol.18 (12), p.7901-7908

2018

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Giant Rashba splitting of quasi-one-dimensional surface states on Bi/InAs(110)- ( 2 × 1 )

Physical review. B, 2018-08, Vol.98 (7), p.075431, Article 075431

2018

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1/f Noise and Dark Current Correlation in Midwave InAs/GaSb Type‐II Superlattice IR Detectors

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2021-02, Vol.218 (3), p.2000557-n/a

2021

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Gate controlled anomalous phase shift in Al/InAs Josephson junctions

Nature communications, 2020-01, Vol.11 (1), p.212-212, Article 212

2020

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Zn‐Doped P‐Type InAs Nanocrystal Quantum Dots

Advanced materials (Weinheim), 2023-02, Vol.35 (5), p.e2208332-n/a

2023

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Low dark current P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP/n+-InAs double heterostructure back-side illuminated photodiodes

Infrared physics & technology, 2016-05, Vol.76, p.542-545

2016

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Engineering Dirac Materials: Metamorphic InAs 1-x Sb x /InAs 1-y Sb y Superlattices with Ultralow Bandgap

Nano letters, 2018-01, Vol.18 (1), p.412-417

2018

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