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Ultrafast measurements of polarization switching dynamics on ferroelectric and anti-ferroelectric hafnium zirconium oxide
Applied physics letters, 2019-08, Vol.115 (7)
2019
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Thick gate oxide extrinsic breakdown – The potential role of neutral hydrogen atom
Power electronic devices and components, 2023-03, Vol.4, p.100024, Article 100024
2023
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A non-defect precursor gate oxide breakdown model
Journal of applied physics, 2023-06, Vol.133 (23)
2023
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On the “intrinsic” breakdown of thick gate oxide
Journal of applied physics, 2022-10, Vol.132 (14)
2022
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Analysis and Control of RRAM Overshoot Current
IEEE transactions on electron devices, 2018-01, Vol.65 (1), p.108-114
2018
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Impact of RRAM Read Fluctuations on the Program-Verify Approach
IEEE electron device letters, 2017-06, Vol.38 (6), p.736-739
2017
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Nanoscale MOSFET as a Potential Room-Temperature Quantum Current Source
Micromachines (Basel), 2020-03, Vol.11 (4), p.364
2020
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Electron Spin Resonance Scanning Probe Spectroscopy for Ultrasensitive Biochemical Studies
Analytical chemistry (Washington), 2015-05, Vol.87 (9), p.4910-4916
2015
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A field-effect transistor-based room-temperature quantum current source
Applied physics letters, 2023-05, Vol.122 (18)
2023
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  • BibTeX
V-Ramp test and gate oxide screening under the "lucky" defect model
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, p.1-4
2023
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  • BibTeX
Modeling Early Breakdown Failures of Gate Oxide in SiC Power MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 2016-09, Vol.63 (9), p.3605-3613
2016
Open Access
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  • BibTeX
Local Field Effect on Charge-Capture/Emission Dynamics
IEEE transactions on electron devices, 2017-12, Vol.64 (12), p.5099-5106
2017
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  • BibTeX
Observation of strong reflection of electron waves exiting a ballistic channel at low energy
AIP advances, 2016-06, Vol.6 (6), p.065212-065212-9
2016
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  • BibTeX
Quantifying Short-Lived Events in Multistate Ionic Current Measurements
ACS nano, 2014-02, Vol.8 (2), p.1547-1553
2014
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  • BibTeX
Nonresonant Transmission Line Probe for Sensitive Interferometric Electron Spin Resonance Detection
Analytical chemistry (Washington), 2019-09, Vol.91 (17), p.11108-11115
2019
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Ferroelectricity in Polar Polymer‐Based FETs: A Hysteresis Analysis
Advanced functional materials, 2018-03, Vol.28 (10), p.n/a
2018
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  • BibTeX
Time Dependent Dielectric Breakdown in High Quality SiC MOS Capacitors
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.615-618
2016
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  • BibTeX
Highly Efficient Rapid Annealing of Thin Polar Polymer Film Ferroelectric Devices at Sub‐Glass Transition Temperature
Advanced functional materials, 2018-02, Vol.28 (8), p.n/a
2018
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  • BibTeX
Determination of Domain Wall Velocity and Nucleation Time by Switching Dynamics Studies of Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022, p.338-339
2022
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  • BibTeX
PBTI-Induced Random Timing Jitter in Circuit-Speed Random Logic
IEEE transactions on electron devices, 2014-11, Vol.61 (11), p.3613-3618
2014
Open Access
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Rapid and Accurate C - V Measurements
IEEE transactions on electron devices, 2016-10, Vol.63 (10), p.3851-3856
2016
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  • BibTeX
Characterization of Transient Gate Oxide Trapping in SiC MOSFETs Using Fast I- V Techniques
IEEE transactions on electron devices, 2008-08, Vol.55 (8), p.2004-2012
2008
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  • BibTeX
Accurate Fast Capacitance Measurements for Reliable Device Characterization
IEEE transactions on electron devices, 2014-07, Vol.61 (7), p.2509-2514
2014
Open Access
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  • BibTeX
Correction to Quantifying Short-Lived Events in Multistate Ionic Channel Measurements
ACS nano, 2015-12, Vol.9 (12), p.12583-12583
2015
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  • BibTeX
Toward reliable RRAM performance: macro- and micro-analysis of operation processes
Journal of computational electronics, 2017-12, Vol.16 (4), p.1085-1094
2017
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