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Critical issues for homoepitaxial GaN growth by molecular beam epitaxy on hydride vapor-phase epitaxy-grown GaN substrates
Journal of crystal growth, 2016-12, Vol.456, p.121-132
2016
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Open Access
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Suppression of surface-originated gate lag by a dual-channel AlN/GaN high electron mobility transistor architecture
Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (6)
2016
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Passive High Power RF Comb Filters Using Epitaxial GaN/NbN/SiC HBARs
IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 2021-11, Vol.68 (11), p.3406-3414
2021
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High Electron Velocity Submicrometer AlN/GaN MOS-HEMTs on Freestanding GaN Substrates
IEEE electron device letters, 2013-02, Vol.34 (2), p.199-201
2013
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Epitaxial ScAlN Etch-Stop Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy for Selective Etching of AlN and GaN
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2017-11, Vol.30 (4), p.475-479
2017
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Epitaxial Lift-Off and Transfer of III-N Materials and Devices from SiC Substrates
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2016-11, Vol.29 (4), p.384-389
2016
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Dynamic Mode Suppression and Frequency Tuning in S-Band GaN/YIG Magnetoelastic HBARs
IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 2023-08, Vol.70 (8), p.876-884
2023
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Engineering Efficient Acoustic Power Transfer in HBARs and Other Composite Resonators
Journal of microelectromechanical systems, 2020-10, Vol.29 (5), p.1014-1019
2020
Open Access
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Polarization-mediated Debye-screening of surface potential fluctuations in dual-channel AlN/GaN high electron mobility transistors
Journal of applied physics, 2016-12, Vol.120 (23)
2016
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Micro-Transfer Printing for Heterogeneous Integration of GaN and GaAs HEMTs
IEEE transactions on electron devices, 2023-06, Vol.70 (6), p.1-7
2023
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Effect of Al∕N flux ratio during nucleation layer growth on the microstructure of GaN films grown by molecular-beam epitaxy
Applied physics letters, 2006-01, Vol.88 (1), p.011916-011916-3
2006
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Phonon Diffraction Limited Performance of Fabry-Pérot Cavities in Piezoelectric epi - Hbars
2021 IEEE 34th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS), 2021, p.206-209
2021
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Molecular Beam Epitaxy of Transition Metal Nitrides for Superconducting Device Applications
2019 Compound Semiconductor Week (CSW), 2019, p.1-1
2019
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