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Etching of Si 3 N 4 induced by electron beam plasma from hollow cathode plasma in a downstream reactive environment
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2020-05, Vol.38 (3)
2020

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Etching of Si 3 N 4 induced by electron beam plasma from hollow cathode plasma in a downstream reactive environment
Ist Teil von
  • Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2020-05, Vol.38 (3)
Ort / Verlag
United States: American Vacuum Society
Erscheinungsjahr
2020
Link zum Volltext
Quelle
American Institute of Physics (AIP) Journals
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 2166-2746
eISSN: 2166-2754
Titel-ID: cdi_osti_scitechconnect_1632905
Format
–

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