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BibTeX
Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon
Langhanki, Bertram
2001
Signatur:
PQ182
Details
Autor(en) / Beteiligte
Langhanki, Bertram
Titel
Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon
Erscheinungsjahr
2001
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Inhaltsverzeichnis
Verknüpfte Titel
Beschreibungen/Notizen
Paderborn, Univ., Diss., 2001
Sprache
Englisch
Identifikatoren
OCLC-Nummer: 1106668555, 1106668555
Titel-ID: 990008410370106463
Format
122 S. : graph. Darst.
Systemstelle
UIO
,
UIQ
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