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EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide [Elektronische Ressource]
2000
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide [Elektronische Ressource]
Erscheinungsjahr
2000
Verknüpfte Titel
Beschreibungen/Notizen
  • Paderborn, Univ.-GH, Diss., 2000
  • Open Access
Sprache
Englisch
Identifikatoren
URN: urn:nbn:de:hbz:466-2000010142
OCLC-Nummer: 1106926275, 1106926275
Titel-ID: 990008299750106463
Format
–
Systemstelle
UIO
Schlagworte
Siliciumcarbid, Dotierung, EDESR