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EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide
2000
Signatur: PQ151

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide
Erscheinungsjahr
2000
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Verknüpfte Titel
Beschreibungen/Notizen
  • Paderborn, Univ.-GH, Diss., 2000
Sprache
Englisch
Identifikatoren
OCLC-Nummer: 1106868678, 1106868678
Titel-ID: 990008299740106463
Format
174 S. : graph. Darst.; 30 cm
Systemstelle
UIO
Schlagworte
Siliciumcarbid, Dotierung, EDESR

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