Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- EPR-induced charge transport in highly doped crystalline n-type silicon carbide
- Erscheinungsjahr
- 2000
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- Verknüpfte Titel
- Beschreibungen/Notizen
- Paderborn, Univ.-GH, Diss., 2000
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- OCLC-Nummer: 1106868678, 1106868678Titel-ID: 990008299740106463
- Format
- 174 S. : graph. Darst.; 30 cm
- Systemstelle
- UIO
- Schlagworte
- Siliciumcarbid, Dotierung, EDESR