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Charakterisierung von Defekten in Silizium nach Bestrahlung mit leichten Ionen
Dissertationen der Johannes-Kepler-Universität Linz : 103 (Alle Bände)
1993
Signatur: D7934

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Charakterisierung von Defekten in Silizium nach Bestrahlung mit leichten Ionen
Ist Teil von
Ort / Verlag
Wien : VWGÖ
Erscheinungsjahr
1993
Beschreibungen/Notizen
  • Linz, Univ., Diss., 1992
Sprache
Deutsch
Identifikatoren
ISBN: 3853699219
OCLC-Nummer: 75348234, 75348234
Titel-ID: 990006447800106463
Format
119 S. : graph. Darst.
Systemstelle
UIO
Schlagworte
Siliciumhalbleiter, Ionenstrahl, Strahlenschaden, Tiefe Störstelle, DLTS

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