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High-voltage field effect transistors with wide-bandgap β -Ga2O3 nanomembranes
Applied physics letters, 2014-05, Vol.104 (20)
2014
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Hydrogenated arsenenes as planar magnet and Dirac material
Applied physics letters, 2015-07, Vol.107 (2)
2015
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GaN power switches on the rise: Demonstrated benefits and unrealized potentials
Applied physics letters, 2020-03, Vol.116 (9)
2020
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Quaternary alloy ScAlGaN: A promising strategy to improve the quality of ScAlN
Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (1)
2022
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Electron and hole mobility of rutile GeO2 from first principles: An ultrawide-bandgap semiconductor for power electronics
Applied physics letters, 2020-11, Vol.117 (18)
2020
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A perspective on the electro-thermal co-design of ultra-wide bandgap lateral devices
Applied physics letters, 2021-10, Vol.119 (17)
2021
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Integration of polycrystalline Ga2O3 on diamond for thermal management
Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (6)
2020
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Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications
Applied physics letters, 2022-12, Vol.121 (26)
2022
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An MSM photodetector based on an InGaO/TiO2 heterojunction for high-performance UV detection
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (2)
2024
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Low frequency noise in β-Ga2O3 based nanoelectronic devices
Applied physics letters, 2023-07, Vol.123 (1)
2023
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Monolithic β-Ga2O3 NMOS IC based on heteroepitaxial E-mode MOSFETs
Applied physics letters, 2023-04, Vol.122 (14)
2023
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Clarification of the relative magnitude of exciton binding energies in ZnO and SnO2
Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (4)
2022
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Phosphorus-doped (113) CVD diamond: A breakthrough towards bipolar diamond devices
Applied physics letters, 2019-03, Vol.114 (11)
2019
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Multiphoton photocurrent in wide bandgap semiconductors for nonlinear optoelectronics: Comparison of GaP, GaN/InGaN, and SiC
Applied physics letters, 2024-02, Vol.124 (6)
2024
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Assessment of channel temperature in β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructure field-effect transistors using visible wavelength thermoreflectance thermal imaging
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (5)
2024
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  • BibTeX
Interface-induced origin of Schottky-to-Ohmic-to-Schottky conversion in non-conventional contact to β-Ga2O3
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (2)
2024
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  • BibTeX
Enhancing plasticity in optoelectronic artificial synapses: A pathway to efficient neuromorphic computing
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (2)
2024
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  • BibTeX
Band gap energy and near infrared to ultraviolet complex optical properties of single crystal TbScO3
Applied physics letters, 2023-07, Vol.123 (5)
2023
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  • BibTeX
Tunable bandgap and Si-doping in N-polar AlGaN on C-face 4H-SiC via molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2023-10, Vol.123 (18)
2023
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  • BibTeX
High-quality (001) β-Ga2O3 homoepitaxial growth by metalorganic chemical vapor deposition enabled by in situ indium surfactant
Applied physics letters, 2022-05, Vol.120 (21)
2022
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Toward the predictive discovery of ambipolarly dopable ultra-wide-band-gap semiconductors: The case of rutile GeO2
Applied physics letters, 2021-06, Vol.118 (26)
2021
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  • BibTeX
Polarization-induced 2D electron gases in N-polar AlGaN/AlN heterostructures on single-crystal AlN substrates
Applied physics letters, 2023-05, Vol.122 (21)
2023
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Defect induced ambipolar conductivity in wide-bandgap semiconductor SrS: Theoretical perspectives
Applied physics letters, 2022-12, Vol.121 (25)
2022
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  • BibTeX
Ferroic properties and piezoelectric response of Mg2XN3 (X = V, Cr)
Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (12)
2021
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  • BibTeX
Structural characters and band offset of Ga2O3–Sc2O3 alloys
Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (5)
2022
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