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  • BibTeX
Enhancing the light extraction efficiency of AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes by using nanowire structures
Applied physics letters, 2016-02, Vol.108 (5)
2016
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Fully epitaxial ferroelectric ScGaN grown on GaN by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2021-09, Vol.119 (11)
2021
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III-Nitride Nanostructures for High Efficiency Micro-LEDs and Ultraviolet Optoelectronics
IEEE journal of quantum electronics, 2022-08, Vol.58 (4), p.1-13
2022
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One-dimensional III-nitrides: towards ultrahigh efficiency, ultrahigh stability artificial photosynthesis
Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability, 2023-03, Vol.11 (11), p.5427-5459
2023
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Fully epitaxial ferroelectric ScAlN grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (22)
2021
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Tensorial Multi-View Clustering via Low-Rank Constrained High-Order Graph Learning
IEEE transactions on circuits and systems for video technology, 2022-08, Vol.32 (8), p.5307-5318
2022
Open Access
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Silicon based photoelectrodes for photoelectrochemical water splitting
Optics express, 2019-02, Vol.27 (4), p.A51-A80
2019
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Molecular beam epitaxy and characterization of wurtzite ScxAl1−xN
Applied physics letters, 2020-04, Vol.116 (15)
2020
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  • BibTeX
Emerging Ferroelectric Materials and Devices
1, 2023
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Ultrathin Nitride Ferroic Memory with Large ON/OFF Ratios for Analog In‐Memory Computing
Advanced materials (Weinheim), 2023-05, Vol.35 (20), p.e2210628-n/a
2023
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Ferroelectric N-polar ScAlN/GaN heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2022-07, Vol.121 (2)
2022
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  • BibTeX
Impact of dislocation density on the ferroelectric properties of ScAlN grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2022-07, Vol.121 (4)
2022
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  • BibTeX
A photochemical diode artificial photosynthesis system for unassisted high efficiency overall pure water splitting
Nature communications, 2018-04, Vol.9 (1), p.1707-9, Article 1707
2018
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  • BibTeX
Optically Pumped Two-Dimensional MoS2 Lasers Operating at Room-Temperature
Nano letters, 2015-08, Vol.15 (8), p.5302-5306
2015
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  • BibTeX
AlGaN Nanowires: Path to Electrically Injected Semiconductor Deep Ultraviolet Lasers
IEEE journal of quantum electronics, 2018-12, Vol.54 (6), p.1-9
2018
Open Access
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Compound Semiconductors
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2023-04, Vol.220 (8), p.n/a
2023
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  • BibTeX
Perspectives on nitride ferroelectric semiconductors: Challenges and opportunities
Applied physics letters, 2024-04, Vol.124 (15)
2024
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Special Issue on IEEE Photonics Conference 2020 (IPC2020)
IEEE photonics technology letters, 2021-08, Vol.33 (16), p.803-803
2021
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  • BibTeX
Micrometer scale InGaN green light emitting diodes with ultra-stable operation
Applied physics letters, 2020-07, Vol.117 (1)
2020
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High efficiency InGaN nanowire tunnel junction green micro-LEDs
Applied physics letters, 2021-10, Vol.119 (14)
2021
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Quaternary alloy ScAlGaN: A promising strategy to improve the quality of ScAlN
Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (1)
2022
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Deep ultraviolet monolayer GaN/AlN disk-in-nanowire array photodiode on silicon
Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (6)
2020
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Thickness scaling down to 5 nm of ferroelectric ScAlN on CMOS compatible molybdenum grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2023-01, Vol.122 (5)
2023
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N-polar ScAlN and HEMTs grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2021-08, Vol.119 (8)
2021
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High-Performance Quantum Dot Lasers and Integrated Optoelectronics on Si
Proceedings of the IEEE, 2009-07, Vol.97 (7), p.1239-1249
2009
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