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Analog switching characteristics in TiW/Al2O3/Ta2O5/Ta RRAM devices
Applied physics letters, 2019-09, Vol.115 (13)
2019
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A Non-Idealities Aware Software-Hardware Co-Design Framework for Edge-AI Deep Neural Network Implemented on Memristive Crossbar
IEEE journal on emerging and selected topics in circuits and systems, 2022-12, Vol.12 (4), p.934-943
2022
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Endurance and Variability Control for Analog Switching in Dual Oxide Layer RRAM Devices
2020 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2020, p.1-4
2020
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Bipolar selector with threshold switching and self-compliance characteristics for crossbar memory arrays
2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2019, p.380-382
2019
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optimizing READ Variability and Design Guidelines for Ultra-thin (<5nm) Analog Bilayer RRAM
2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), 2020, p.52-53
2020
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Investigation of Retention Failure Behavior in Analog RRAM Devices
2020 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2020, p.1-4
2020
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Improved Switching Uniformity and Low-Voltage Operation in TaOx-Based RRAM Using Ge Reactive Layer
IEEE electron device letters, 2013-09, Vol.34 (9), p.1130-1132
2013
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Improved Switching Uniformity and Low-Voltage Operation in -Based RRAM Using Ge Reactive Layer
IEEE electron device letters, 2013-09, Vol.34 (9), p.1130-1132
2013
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Novel selector for high density non-volatile memory with ultra-low holding voltage and 10 super(7) on/off ratio
IEEE Conferences, 2015-06, p.T130-T131
2015
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