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Difference in Device Temperature Determination Using p-n-Junction Forward Voltage and Gate Threshold Voltage
IEEE transactions on power electronics, 2019-03, Vol.34 (3), p.2781-2793
2019
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Semiconductor Power Devices: Physics, Characteristics, Reliability
2nd ed. 2018 edition., 2018
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Correction of Delay-Time-Induced Maximum Junction Temperature Offset During Electrothermal Characterization of IGBT Devices
IEEE transactions on power electronics, 2021-03, Vol.36 (3), p.2564-2573
2021
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Dynamic self-clamping at short-circuit turn-off of high-voltage IGBTs
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2013, p.277-280
2013
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Some aspects on ruggedness of SiC power devices
Microelectronics and reliability, 2014-01, Vol.54 (1), p.49-56
2014
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Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
Second Edition., 2012
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Temperature Influence on the Accuracy of the Transient Dual Interface Method for the Junction-to-Case Thermal Resistance Measurement
IEEE transactions on power electronics, 2021-07, Vol.36 (7), p.7451-7460
2021
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Study on the IGBT Short Circuit Type II Behavior Considering the Plasma Effect
IEEE transactions on power electronics, 2023-01, Vol.38 (1), p.1-9
2023
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Dynamic avalanche in bipolar power devices
Microelectronics and reliability, 2012-03, Vol.52 (3), p.475-481
2012
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GENERATING DEVICE FOR GENERATING A USEFUL STREAM OF A MEDIUM, IN PARTICULAR FOR GENERATING SOUND
The Journal of the Acoustical Society of America, 2012, Vol.132 (3), p.1863
2012
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Dynamic avalanche and reliability of high voltage diodes
Microelectronics and reliability, 2003-04, Vol.43 (4), p.529-536
2003
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High cycle fatigue testing of Silicon IGBT devices under application-close conditions
IEEE transactions on power electronics, 2023-11, Vol.38 (11), p.1-9
2023
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Reliability and reliability investigation of wide-bandgap power devices
Microelectronics and reliability, 2018-09, Vol.88-90, p.550-556
2018
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  • BibTeX
Experimental Investigation of Linear Cumulative Damage Theory With Power Cycling Test
IEEE transactions on power electronics, 2019-05, Vol.34 (5), p.4722-4728
2019
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Influence of power cycling ageing on the current and voltage transitions during hard switching of IGBT devices
Microelectronics and reliability, 2021-07, Vol.122, p.114161, Article 114161
2021
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The Influence of the Gate Driver and Common-Source Inductance on the Short-Circuit Behavior of IGBT Modules and Protection
IEEE transactions on power electronics, 2020-10, Vol.35 (10), p.10789-10798
2020
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Influence of thermal interface material using discrete Si-IGBTs and consideration of power cycling conditions
Microelectronics and reliability, 2023-11, Vol.150, p.115089, Article 115089
2023
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Charge-Carrier Plasma Dynamics During the Reverse-Recovery Period in \hbox^- \hbox^ - \hbox^ Diodes
IEEE transactions on electron devices, 2008-08, Vol.55 (8), p.2164-2172
2008
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Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
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  • BibTeX
Challenges Regarding Parallel Connection of SiC JFETs
IEEE transactions on power electronics, 2013-03, Vol.28 (3), p.1449-1463
2013
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  • BibTeX
Requirements in power cycling for precise lifetime estimation
Microelectronics and reliability, 2016-03, Vol.58, p.82-89
2016
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  • BibTeX
The \hbox^-Junction as the Key to Improved Ruggedness and Soft Recovery of Power Diodes
IEEE transactions on electron devices, 2009-11, Vol.56 (11), p.2825-2832
2009
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Improving the short circuit ruggedness of IGBTs
Microelectronics and reliability, 2016-09, Vol.64, p.519-523
2016
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  • BibTeX
Cathode-Side Current Filaments in High-Voltage Power Diodes Beyond the SOA Limit
IEEE transactions on electron devices, 2013-07, Vol.60 (7), p.2308-2317
2013
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Possible failure modes in Press-Pack IGBTs
Microelectronics and reliability, 2015-05, Vol.55 (6), p.903-911
2015
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