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Influence of spatial and temporal coherences on atomic resolution high angle annular dark field imaging
Ultramicroscopy, 2016-10, Vol.169, p.1-10
2016
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Quantification of Bi distribution in MOVPE-grown Ga(AsBi) via HAADF STEM
Journal of crystal growth, 2016-01, Vol.433, p.89-96
2016
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Local Bi ordering in MOVPE grown Ga(As,Bi) investigated by high resolution scanning transmission electron microscopy
Applied materials today, 2017-03, Vol.6, p.22-28
2017
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Determination of the chemical composition of GaNAs using STEM HAADF imaging and STEM strain state analysis
Ultramicroscopy, 2012-06, Vol.117, p.15-23
2012
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P‐148: Inspection of Excimer‐Laser Annealed Thin Silicon Films Across the Length Scale of Interest
SID International Symposium Digest of technical papers, 2023-06, Vol.54 (1), p.1470-1473
2023
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Quantitative Determination of Chemical Composition of Multinary III/V Semiconductors With Sublattice Resolution Using Aberration Corrected HAADF-STEM
Microscopy and microanalysis, 2015-08, Vol.21 (S3), p.2081-2082
2015
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48.1: Inline Low Temperature Polycrystalline Silicon Roughness and Grain Size Metrology Enabled by Electron Beam Review for a Better Process Control of Excimer Laser Annealing
SID International Symposium Digest of technical papers, 2022-10, Vol.53 (S1), p.478-481
2022
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41.3: A New Inspection and Review Solution with EFIB Accelerating the Yield Ramp of Display Panel Manufacturing
SID International Symposium Digest of technical papers, 2021-08, Vol.52 (S2), p.505-508
2021
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Interface engineering and characterization at the atomic‐scale of pure and mixed ion layer gas reaction buffer layers in chalcopyrite thin‐film solar cells
Progress in photovoltaics, 2015-06, Vol.23 (6), p.705-716
2015
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Structural analysis of dilute bismide alloys by means of high resolution scanning transmission electron microscopy
2016
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Interface engineering and characterization at the atomic-scale of pure and mixed ion layer gas reaction buffer layers in chalcopyrite thin-film solar cells: Engineering and characterization of pure and mixed ILGAR buffer layers
Progress in photovoltaics, 2015-06, Vol.23 (6), p.705-716
2015
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Migration-enhanced epitaxy of thin GaAsBi layers
Lithuanian journal of physics, 2014, Vol.54 (2), p.125-129
2014
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