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Two-dimensional ferroelectric MoS2/Ga2O3 heterogeneous bilayers with highly tunable photocatalytic and electrical properties
Nanoscale, 2022-04, Vol.14 (14), p.5551-5560
2022
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Orientation-dependent atomic-scale mechanism and defect evolution in β-Ga2O3 thin film epitaxial growth
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (2)
2024
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E-mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs
IEEE electron device letters, 2020-04, Vol.41 (4), p.1-1
2020
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The impact of buffer thickness upon the transport-limited buffer trapping effects in carbon-doped power GaN-on-Si devices
Applied physics letters, 2023-09, Vol.123 (11)
2023
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Gate-Bias Induced Threshold Voltage (VTH) Instability in P-N Junction/AlGaN/GaN HEMT
IEEE transactions on electron devices, 2022-07, Vol.69 (7), p.3654-3659
2022
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High Performance GaN-on-Si Voltage Sensors
IEEE sensors journal, 2023-05, Vol.23 (10), p.10285-10292
2023
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650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode
IEEE electron device letters, 2018-02, Vol.39 (2), p.260-263
2018
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Design of multi-channel heterostructures for GaN devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2024-03, Vol.63 (3), p.031007
2024
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Open Access
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Bridging the gap between atomically thin semiconductors and metal leads
Nature communications, 2022-04, Vol.13 (1), p.1777-1777, Article 1777
2022
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O3-sourced atomic layer deposition of high quality Al2O3 gate dielectric for normally-off GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors
Applied physics letters, 2015-01, Vol.106 (3)
2015
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Hole-Induced Degradation in -Mode GaN MIS-FETs: Impact of Substrate Terminations
IEEE transactions on electron devices, 2020-01, Vol.67 (1), p.217-223
2020
Open Access
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Formation and Applications in Electronic Devices of Lattice‐Aligned Gallium Oxynitride Nanolayer on Gallium Nitride (Adv. Mater. 12/2023)
Advanced materials (Weinheim), 2023-03, Vol.35 (12), p.n/a
2023
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Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs
IEEE transactions on electron devices, 2015-10, Vol.62 (10), p.3215-3222
2015
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Formation and Applications in Electronic Devices of Lattice‐Aligned Gallium Oxynitride Nanolayer on Gallium Nitride
Advanced materials (Weinheim), 2023-03, Vol.35 (12), p.e2208960-n/a
2023
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Normally-Off LPCVD-SiNx/GaN MIS-FET With Crystalline Oxidation Interlayer
IEEE electron device letters, 2017-07, Vol.38 (7), p.929-932
2017
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  • BibTeX
Roles of Hole Trap on Gate Leakage of p-GaN HEMTs at Cryogenic Temperatures
IEEE electron device letters, 2023-10, Vol.44 (10), p.1612-1615
2023
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GaN HEMT With Convergent Channel for Low Intrinsic Knee Voltage
IEEE electron device letters, 2020-09, Vol.41 (9), p.1304-1307
2020
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Reverse-Blocking Normally-OFF GaN Double-Channel MOS-HEMT With Low Reverse Leakage Current and Low ON-State Resistance
IEEE electron device letters, 2018-07, Vol.39 (7), p.1003-1006
2018
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  • BibTeX
GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric
IEEE electron device letters, 2015-05, Vol.36 (5), p.448-450
2015
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  • BibTeX
GaN Power Integration Technology and Its Future Prospects
IEEE transactions on electron devices, 2023-12, Vol.71 (3), p.1-18
2023
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An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT with Screening Effect against Surface Traps
IEEE electron device letters, 2023-01, Vol.44 (1), p.1-1
2023
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Gate Leakage and Reliability of GaN -Channel FET With SiNₓ/GaON Staggered Gate Stack
IEEE electron device letters, 2022-11, Vol.43 (11), p.1822-1825
2022
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Gate Current Transport in Enhancement-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMT
IEEE electron device letters, 2021-05, Vol.42 (5), p.669-672
2021
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OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced V TH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs
IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics, 2021-06, Vol.9 (3), p.3686-3694
2021
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Decoupling of Forward and Reverse Turn-on Threshold Voltages in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs
IEEE electron device letters, 2021-07, Vol.42 (7), p.986-989
2021
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