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Non-Hermitian Hamiltonians and Quantum Transport in Multi-Terminal Conductors
Entropy (Basel, Switzerland), 2020-04, Vol.22 (4), p.459
2020
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Dependence of Functional Parameters of Sine-Gated InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes on the Gating Parameters
IEEE photonics journal, 2022-04, Vol.14 (2), p.1-9
2022
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[Formula: see text]-symmetric interference transistor
Scientific reports, 2018-10, Vol.8 (1), p.15780-11, Article 15780
2018
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Interacting resonances and antiresonances in conjugated hydrocarbons: exceptional points and bound states in the continuum
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 2021-09, Vol.23 (37), p.2854-2866
2021
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Dead time duration and active reset influence on the afterpulse probability of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes
IEEE journal of quantum electronics, 2022-06, Vol.58 (3), p.1-1
2022
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Low Frequency Signal Generation during Fano Resonance Build-up Process
2021 International Applied Computational Electromagnetics Society Symposium (ACES), 2021, p.1-2
2021
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The modular equipment for training based on the semiconductor lasers
Journal of the Belarusian State University. Physics, 2020-06 (2), p.86-90
2020
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The influence various sources of fluctuation on the statistical parameters of the vertical cavity surface emitting lasers output radiation
Journal of the Belarusian State University. Physics, 2019-09 (3), p.12-21
2019
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documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$${\mathscr{P}}{\mathscr{T}}$$\end{document}PT-symmetric interference transistor
Scientific reports, 2018-10, Vol.8
2018
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Boundary Conditions and Edge States at Photonic Crystal Interface
2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), 2019, p.2062-2066
2019
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