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Random Telegraph Noise Degradation Caused by Hot Carrier Injection in a 0.8 μm-Pitch 8.3Mpixel Stacked CMOS Image Sensor
Sensors (Basel, Switzerland), 2023-09, Vol.23 (18), p.7959
2023
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Statistical Analysis of the Random Telegraph Noise in a 1.1 μm Pixel, 8.3 MP CMOS Image Sensor Using On-Chip Time Constant Extraction Method
Sensors (Basel, Switzerland), 2017-11, Vol.17 (12), p.2704
2017
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Statistical Analysis of Random Telegraph Noises of MOSFET Subthreshold Currents Using a 1M Array Test Chip in a 40 nm Process
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2021, Vol.9, p.972-984
2021
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Random Telegraph Noises in CMOS Image Sensors Caused by Variable Gate-Induced Sense Node Leakage Due to X-Ray Irradiation
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2019, Vol.7, p.227-238
2019
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CMOS Image Sensor Random Telegraph Noise Time Constant Extraction From Correlated To Uncorrelated Double Sampling
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2017-01, Vol.5 (1), p.79-89
2017
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Extraction and Estimation of Pinned Photodiode Capacitance in CMOS Image Sensors
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2014-07, Vol.2 (4), p.59-64
2014
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A 0.66erms− Temporal-Readout-Noise 3-D-Stacked CMOS Image Sensor With Conditional Correlated Multiple Sampling Technique
IEEE journal of solid-state circuits, 2018-02, Vol.53 (2), p.527-537
2018
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Random Telegraph Noises from the Source Follower, the Photodiode Dark Current, and the Gate-Induced Sense Node Leakage in CMOS Image Sensors
Sensors (Basel, Switzerland), 2019-12, Vol.19 (24), p.5447
2019
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A 1.1μm-Pitch 13.5Mpixel 3D-stacked CMOS image sensor featuring 230fps full-high-definition and 514fps high-definition videos by reading 2 or 3 rows simultaneously using a column-switching matrix
2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), 2018, p.88-90
2018
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A 0.66e rms − Temporal-Readout-Noise 3-D-Stacked CMOS Image Sensor With Conditional Correlated Multiple Sampling Technique
IEEE journal of solid-state circuits, 2018-02, Vol.53 (2), p.527-537
2018
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Spin-orbit-coupling effects on the valence-band structure of strained semiconductor quantum wells
Physical review. B, Condensed matter, 1992-08, Vol.46 (7), p.4110-4122
1992
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A peripheral switchable 3D stacked CMOS image sensor
2014 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, 2014, p.1-2
2014
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Resonant tunneling of holes in the multiband effective-mass approximation
Physical review. B, Condensed matter, 1991-03, Vol.43 (9), p.7027-7039
1991
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Momentum-space solution of exciton excited states and heavy-hole-light-hole mixing in quantum wells
Physical review. B, Condensed matter, 1993-09, Vol.48 (11), p.8210-8221
1993
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Hydrogenation of boron acceptor in silicon during electron injection by Fowler-Nordheim tunneling
Applied physics letters, 1987-01, Vol.50 (4), p.180-181
1987
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Analytical and numerical solutions for a two-dimensional exciton in momentum space
Physical review. B, Condensed matter, 1991-03, Vol.43 (8), p.6530-6543
1991
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A 0.66e−rms temporal-readout-noise 3D-stacked CMOS image sensor with conditional correlated multiple sampling (CCMS) technique
2015 Symposium on VLSI Circuits (VLSI Circuits), 2015, p.C84-C85
2015
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A 0.66e super(-) sub(rms) temporal-readout-noise 3D-stacked CMOS image sensor with conditional correlated multiple sampling (CCMS) technique
2015 Symposium on VLSI Circuits (VLSI Circuits), 2015-06, p.C84-C85
2015
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