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Effect of top electrode material on resistive switching properties of ZrO2 film memory devices
IEEE electron device letters, 2007-05, Vol.28 (5), p.366-368
2007
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Effect of Top Electrode Material on Resistive Switching Properties of \hbox Film Memory Devices
IEEE electron device letters, 2007-05, Vol.28 (5), p.366-368
2007
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The relaxation phenomena of positive charges in thin gate oxide during Fowler-Nordheim tunneling stress
IEEE transactions on electron devices, 1998-08, Vol.45 (8), p.1684-1689
1998
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The Effect of the Growth Temperature on Polyoxide by Rapid Thermal Processing
Japanese Journal of Applied Physics, 2001-03, Vol.40 (3R), p.1157
2001
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Comparison of the Characteristics of Polyoxides Grown by Thermal, Rapid Thermal Oxidation, and Tetraethylorthosilicate Deposition Methods
Japanese Journal of Applied Physics, 1999, Vol.38 (10R), p.5731-5734
1999
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Thickness and Stress Polarity Effects on the Reliability of the Low Thermal Budget Polyoixdes
Japanese Journal of Applied Physics, 2001-10, Vol.40 (10R), p.5875
2001
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20nm gate bulk-finFET SONOS flash
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest, 2005, p.154-157
2005
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Effect of Top Electrode Material on Resistive Switching Properties of [Formula Omitted] Film Memory Devices
IEEE electron device letters, 2007-05, Vol.28 (5), p.366-368
2007
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Influence of Sheet Resistance on N 2 O-Grown Polyoxide
Japanese Journal of Applied Physics, 2000-04, Vol.39 (4R), p.1604
2000
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