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Photoluminescent properties of the SiO2/Si system with ion-synthesized hexagonal silicon of the 9R-Si phase: Effect of post-implantation annealing
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2023-04, Vol.537, p.60-64
2023
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Structural disorder and distribution of impurity atoms in β-Ga2O3 under boron ion implantation
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2023-04, Vol.537, p.65-70
2023
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Growth defects in GeSn/Ge/Si(001) epitaxial layers grown by hot wire chemical vapor deposition of Ge with co-evaporation of Sn
Journal of crystal growth, 2022-01, Vol.578, p.126421, Article 126421
2022
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Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers
Journal of magnetism and magnetic materials, 2019-10, Vol.487, p.165321, Article 165321
2019
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Gallium-doped germanium epitaxial layers grown on silicon substrates by hot wire chemical vapor deposition
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2020-09, Vol.259, p.114579, Article 114579
2020
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Manufacturing of Sputtering Composite Targets Containing Phases of [Co.sub.2]FeSi or [Co.sub.2]MnSi Heusler Alloy
Technical physics, 2018-07, Vol.63 (7)
2018
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Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-10, Vol.49 (10), p.1365-1368
2015
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Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and [Si.sub.1-x] [Ge.sub.x] alloy layers: production and some properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-03, p.345
2016
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4π spectrometer of β-decay electrons with Si(Li)-detectors
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2023-06, Vol.1051, Article 168242
2023
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4 π spectrometer of β -decay electrons with Si(Li)-detectors
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2023-06, Vol.1051, p.168242, Article 168242
2023
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