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Activation of Mg implanted in GaN by multicycle rapid thermal annealing
Electronics letters, 2014-01, Vol.50 (3), p.197-198
2014
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Simultaneous determination of the lattice thermal conductivity and grain/grain thermal resistance in polycrystalline diamond
Acta materialia, 2017-10, Vol.139, p.215-225
2017
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Homoepitaxial HVPE GaN: A potential substrate for high performance devices
Journal of crystal growth, 2018-10, Vol.500, p.104-110
2018
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An AlN/Ultrathin AlGaN/GaN HEMT Structure for Enhancement-Mode Operation Using Selective Etching
IEEE electron device letters, 2009-12, Vol.30 (12), p.1251-1253
2009
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Characterization of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs as a Function of Etch Depth
Journal of electronic materials, 2010-05, Vol.39 (5), p.478-481
2010
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Mitigation of BPD by Pre-Epigrowth High Temperature Substrate Annealing
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.233-236
2016
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Thick homoepitaxial GaN with low carrier concentration for high blocking voltage
Journal of crystal growth, 2010-09, Vol.312 (18), p.2616-2619
2010
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Electrical Characterization of the Graphene-SiC Heterojunction
Materials science forum, 2012, Vol.717-720, p.641-644
2012
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Improved GaN-based HEMT performance by nanocrystalline diamond capping
70th Device Research Conference, 2012, p.155-156
2012
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Thermally stimulated current separation of hole and acceptor trap density in 4H-SiC epitaxial MOS devices using gamma irradiation
2009 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record (NSS/MIC), 2009, p.168-172
2009
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Enhancement mode AlN/ultrathin AlGaN/GaN HEMTs using selective wet etching
2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009, p.1-2
2009
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Influence of Shockley stacking fault propagation and contraction on electrical behavior of 4H-SiC pin diodes and DMOSFETs
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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Investigation of nanocrystalline diamond films as UV transparent Ohmic contacts to GaN
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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