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Low-Temperature-Grown Transition Metal Oxide Based Storage Materials and Oxide Transistors for High-Density Non-volatile Memory
Advanced functional materials, 2009-05, Vol.19 (10), p.1587-1593
2009
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Bias-illumination stress effect in thin film transistors with a nitrogen low-doped IZO active layer
Semiconductor science and technology, 2016-10, Vol.31 (10), p.105011
2016
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Effect of indium low doping in ZnO based TFTs on electrical parameters and bias stress stability
AIP advances, 2015-11, Vol.5 (11), p.117124-117124-8
2015
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Photoluminescence response of colloidal quantum dots on VO2 film across metal to insulator transition
Nanoscale research letters, 2014-11, Vol.9 (1), p.612-612, Article 612
2014
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Electron-beam modification and electrical property recovery dynamics of vanadium dioxide films in semiconducting and metallic phases
Japanese Journal of Applied Physics, 2015-05, Vol.54 (5), p.51102
2015
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Nonvolatile resistance switching in amorphous In–Zn–O films
Journal of non-crystalline solids, 2007-04, Vol.353 (8-10), p.956-958
2007
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High-Current-Density CuO x/InZnOx Thin-Film Diodes for Cross-Point Memory Applications
Advanced materials (Weinheim), 2008-08, Vol.20 (16), p.3066-3069
2008
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Insulator-to-metal transition in vanadium sesquioxide: does the Mott criterion work in this case?
Phase transitions, 2012-03, Vol.85 (3), p.185-194
2012
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Comment on “Metal-insulator transition without structural phase transition in V 2 O 5 film” [Appl. Phys. Lett. 98, 131907 (2011)]
Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (17), p.176101
2013
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Write Current Reduction in Transition Metal Oxide Based Resistance Change Memory
Advanced materials (Weinheim), 2008-03, Vol.20 (5), p.924-928
2008
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High-Current-Density CuOx/InZnOx Thin-Film Diodes for Cross-Point Memory Applications
Advanced materials (Weinheim), 2008-08, Vol.20 (16), p.3066-3069
2008
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Field-effect modulation of resistance in VO2 thin film at lower temperature
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-11, Vol.53 (11)
2014
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Field-effect modulation of resistance in VO 2 thin film at lower temperature
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-11, Vol.53 (11), p.111102
2014
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Field-effect modulation of resistance in VO sub(2) thin film at lower temperature
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-01, Vol.53 (11), p.111102-1-111102-6
2014
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Stackable All-Oxide-Based Nonvolatile Memory With Al2O3 Antifuse and p-CuOx/n-InZnOx Diode
IEEE electron device letters, 2009-05, Vol.30 (5), p.550-552
2009
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High‐Current‐Density CuO x /InZnO x Thin‐Film Diodes for Cross‐Point Memory Applications
Advanced materials (Weinheim), 2008-08, Vol.20 (16), p.3066-3069
2008
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