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Fermi-dirac and random carrier distributions in quantum dot lasers
Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (3)
2014
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Experimental investigation of the effect of wetting-layer states on the gain–current characteristic of quantum-dot lasers
Applied physics letters, 2002-12, Vol.81 (26), p.4904-4906
2002
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In situ fabricated 3D micro-lenses for photonic integrated circuits
Optics express, 2018-05, Vol.26 (10), p.13436-13442
2018
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Design and characterisation of multi-mode interference reflector lasers for integrated photonics
Journal of physics. D, Applied physics, 2023-09, Vol.56 (38), p.384001
2023
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Impact of thermal oxidation uniformity on 150 mm GaAs- and Ge-substrate VCSELs
Journal of physics. D, Applied physics, 2023-04, Vol.56 (15), p.154002
2023
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Carrier leakage in InGaN quantum well light-emitting diodes emitting at 480 nm
Applied physics letters, 2003-04, Vol.82 (17), p.2755-2757
2003
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Gain measurements on VCSEL material using segmented contact technique
Journal of physics. D, Applied physics, 2023-02, Vol.56 (7), p.74003
2023
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Photonic integration platform with pump free microfluidics
Optics express, 2017-10, Vol.25 (20), p.23634-23644
2017
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Dual-wavelength InP quantum dot lasers
Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (24)
2014
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Effect of Growth Temperature on InP QD Lasers
IEEE photonics technology letters, 2010-01, Vol.22 (2), p.88-90
2010
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Determination of the piezoelectric field in InGaN quantum wells
Applied physics letters, 2005-03, Vol.86 (13), p.131108-131108-3
2005
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Optical absorption cross section of quantum dots
Journal of physics. Condensed matter, 2004-09, Vol.16 (35), p.S3749-S3756
2004
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Polarization response of quantum-confined structures using edge-photovoltage spectroscopy
Semiconductor science and technology, 2007-12, Vol.22 (12), p.1298-1301
2007
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Long wavelength quantum-dot lasers selectively populated using tunnel injection
Semiconductor science and technology, 2007-05, Vol.22 (5), p.557-560
2007
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Characterization of semiconductor laser gain media by the segmented contact method
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2003-09, Vol.9 (5), p.1275-1282
2003
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Determination of single-pass optical gain and internal loss using a multisection device
Applied physics letters, 1999-10, Vol.75 (17), p.2527-2529
1999
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InP-GaInP quantum-dot lasers emitting between 690-750 nm
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2005-09, Vol.11 (5), p.1035-1040
2005
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Multi-mode Interference Reflector based InAs-QD Laser
2022 28th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2022, p.1-2
2022
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Thermodynamic balance in quantum dot lasers
Semiconductor science and technology, 2001-03, Vol.16 (3), p.140-143
2001
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InAsP AlGaInP GaAs QD laser operating at ∼770 nm
Journal of physics. Conference series, 2016-08, Vol.740 (1), p.12008
2016
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Recombination mechanisms in 1.3-μm InAs quantum-dot lasers
IEEE photonics technology letters, 2006-04, Vol.18 (8), p.965-967
2006
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The role of high growth temperature GaAs spacer layers in 1.3-μm In(Ga)As quantum-dot lasers
IEEE photonics technology letters, 2005-10, Vol.17 (10), p.2011-2013
2005
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Optical mode loss and gain of multiple-layer quantum-dot lasers
Applied physics letters, 2001-04, Vol.78 (18), p.2629-2631
2001
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Measurement of true spontaneous emission spectra from the facet of diode laser structures
Applied physics letters, 2002-01, Vol.80 (1), p.1-3
2002
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Thermal performance investigation of DQW GaInNAs laser diodes
Optical and quantum electronics, 2008-04, Vol.40 (5-6), p.385-390
2008
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