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Impact ionization characteristics of III-V semiconductors for a wide range of multiplication region thicknesses
IEEE journal of quantum electronics, 2000-02, Vol.36 (2), p.198-204
2000
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Resonant-cavity InGaAs-InAlAs avalanche photodiodes with gain-bandwidth product of 290 GHz
IEEE photonics technology letters, 1999-09, Vol.11 (9), p.1162-1164
1999
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Performance of thin separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes
IEEE journal of quantum electronics, 1998-03, Vol.34 (3), p.482-490
1998
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Thin multiplication region InAlAs homojunction avalanche photodiodes
Applied physics letters, 1998-08, Vol.73 (6), p.783-784
1998
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Resonant-cavity separate absorption, charge and multiplication avalanche photodiodes with high-speed and high gain-bandwidth product
IEEE photonics technology letters, 1998-03, Vol.10 (3), p.409-411
1998
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Temperature dependence of the ionization coefficients of AlxGa1-xAs
IEEE journal of quantum electronics, 2000-10, Vol.36 (10), p.1168-1173
2000
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Quantization effects in inversion layers of PMOSFETs on Si (100) substrates
IEEE electron device letters, 1996-06, Vol.17 (6), p.276-278
1996
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High-speed and low-noise avalanche photodiode operating at 1.06 mu m
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2000-05, Vol.6 (3)
2000
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Factors influencing the interfacial roughness of InGaAs/GaAs heterostructures: A scanning tunneling microscopy study
Applied physics letters, 1999-09, Vol.75 (12), p.1703-1705
1999
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Low-threshold continuous-wave surface emitting lasers with etched void confinement
IEEE photonics technology letters, 1994-03, Vol.6 (3), p.320-322
1994
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Effect of an AlAs/GaAs mirror on the spontaneous emission of an InGaAs-GaAs quantum well
Applied physics letters, 1990-10, Vol.57 (18), p.1858-1860
1990
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Direct mapping of electronic structure across Al0.3Ga0.7As/GaAs heterojunctions : band offsets, asymmetrical transition widths, and multiple-valley band structures
Physical review letters, 1993-09, Vol.71 (12), p.1883-1886
1993
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Excess noise in GaAs avalanche photodiodes with thin multiplication regions
IEEE journal of quantum electronics, 1997-07, Vol.33 (7), p.1089-1093
1997
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ZnSe/CaF2 quarter-wave Bragg reflector for the vertical-cavity surface-emitting laser
Journal of applied physics, 1991-06, Vol.69 (11), p.7430-7434
1991
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High-reflectivity Bragg mirrors for optoelectronic applications
IEEE journal of quantum electronics, 1995-10, Vol.31 (10), p.1819-1825
1995
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Scanning tunneling microscopy of GaAs multiple pn junctions
Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (9), p.1104-1106
1992
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InGaAs-GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting laser using molecular beam epitaxial regrowth
Applied physics letters, 1991-03, Vol.58 (11), p.1122-1124
1991
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Resonant cavity photodetector with integrated spectral notch filter
IEEE photonics technology letters, 1998-08, Vol.10 (8), p.1142-1143
1998
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Noise characteristics of thin multiplication region GaAs avalanche photodiodes
Applied physics letters, 1996-12, Vol.69 (24), p.3734-3736
1996
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A comparison of the critical thickness for MBE grown LT-GaAs determined by in-situ ellipsometry and transmission electron microscopy
Journal of electronic materials, 1997-04, Vol.26 (4), p.391-396
1997
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Negative differential resistance through real-space electron transfer
Applied physics letters, 1979-09, Vol.35 (6), p.469-471
1979
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Mode dependence on mirror contrast in Fabry-Perot microcavity lasers
IEEE photonics technology letters, 1994-02, Vol.6 (2), p.135-138
1994
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A resonant-cavity, separate-absorption-and-multiplication, avalanche photodiode with low excess noise factor
IEEE electron device letters, 1996-03, Vol.17 (3), p.91-93
1996
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Resonant-cavity enhanced (RCE) separate absorption and multiplication (SAM) avalanche photodetector (APD)
IEEE photonics technology letters, 1995-12, Vol.7 (12), p.1486-1488
1995
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Application of the Williams-Watts decay law to DX center capture and emission kinetics
Applied physics letters, 1989-01, Vol.54 (5), p.445-447
1989
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