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Freshwater turtle admissions to a wildlife hospital in South‐East Queensland, Australia over an eleven‐year period, 2010–2021
Australian veterinary journal, 2023-06, Vol.101 (6), p.258-264
2023
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Better safe than sorry
BJOG : an international journal of obstetrics and gynaecology, 2012-09, Vol.119 (10), p.1159-1161
2012
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The impact of processing on the optical absorption onset of CdTe thin-films and solar cells
Journal of applied physics, 2021-04, Vol.129 (16)
2021
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Bandedge optical properties of MBE grown GaAsBi films measured by photoluminescence and photothermal deflection spectroscopy
Journal of crystal growth, 2015-09, Vol.425, p.245-249
2015
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Disorder and the optical properties of amorphous silicon grown by molecular beam epitaxy
Solid state communications, 2001-01, Vol.120 (11), p.429-434
2001
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Steady-state and transient electron transport within the III-V nitride semiconductors, GaN, AlN, and InN: A review
Journal of materials science. Materials in electronics, 2006-02, Vol.17 (2), p.87-126
2006
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'Better safe than sorry'- better for whom?
BJOG : an international journal of obstetrics and gynaecology, 2012-11, Vol.119 (12), p.1547-1547
2012
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Region-dependent alterations in glutamate and GABA measured by high-resolution magnetic resonance spectroscopy following acute binge inhalation of toluene in juvenile rats
Neurotoxicology and teratology, 2007-07, Vol.29 (4), p.466-475
2007
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Optical absorption in an amorphous silicon superlattice grown by molecular beam epitaxy
Solid state communications, 2002-05, Vol.122 (5), p.271-275
2002
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Optical dispersion relationships in amorphous silicon grown by molecular beam epitaxy
Journal of non-crystalline solids, 2001-09, Vol.290 (1), p.57-63
2001
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The dependence of the crystalline volume fraction on the crystallite size for hydrogenated nanocrystalline silicon based solar cells
MRS proceedings, 2013, Vol.1536 (1), p.113-118
2013
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Influence of the kinetic energy of localization on the distribution of electronic states in amorphous semiconductors
Applied physics. A, Materials science & processing, 1998, Vol.66 (1), p.53-58
1998
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Social influences on cortisol and behavioral responses of preweaning, periadolescent, and adult guinea pigs
Physiology & behavior, 2002-06, Vol.76 (2), p.305-314
2002
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Influence of growth temperature on order within silicon films grown by ultrahigh-vacuum evaporation on silica
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (12)
2006
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Open Access
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Effects of bandwidth limitations on the localized state distribution calculated from transient photoconductivity data
Journal of applied physics, 1998-05, Vol.83 (9), p.4782-4787
1998
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Optical properties of hydrogenated amorphous carbon thin films prepared by dc saddle field plasma-enhanced chemical vapor deposition
Journal of non-crystalline solids, 2005-04, Vol.351 (8), p.736-740
2005
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Amorphous Silicon Films and Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy: An Optical Analysis
MRS proceedings, 2002, Vol.715, Article A19.1
2002
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Steady-state electron transport in the III-V nitride semiconductors: A sensitivity analysis
Journal of electronic materials, 2003-05, Vol.32 (5), p.327-334
2003
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Evidence for deviations from a single-exponential distribution of conduction band tail states in hydrogenated amorphous silicon: A transient photocurrent analysis
Solid state communications, 1998, Vol.105 (4), p.239-242
1998
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Monte Carlo simulation of electron transport in wurtzite aluminum nitride
Solid state communications, 1998-03, Vol.105 (10), p.621-626
1998
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On defining the optical gap of an amorphous semiconductor : an empirical calibration for the case of hydrogenated amorphous silicon
Solid state communications, 1999-01, Vol.110 (5), p.281-286
1999
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On the relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum in amorphous semiconductors
Solid state communications, 1999-02, Vol.109 (9), p.589-594
1999
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Molecular Beam Epitaxially Deposited Amorphous Silicon
MRS proceedings, 2000, Vol.609, Article A5.1
2000
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Potential performance of indium-nitride-based devices
Applied physics letters, 2006-04, Vol.88 (15), p.152113-152113-3
2006
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Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN
Journal of applied physics, 1999-06, Vol.85 (11), p.7727-7734
1999
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