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Noise-assisted persistence and recovery of memory state in a memristive spiking neuromorphic network
Chaos, solitons and fractals, 2021-05, Vol.146, p.110890, Article 110890
2021
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Spark plasma sintering of fine-grained WC hard alloys with ultra-low cobalt content
Journal of alloys and compounds, 2021-03, Vol.857, p.157535, Article 157535
2021
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Investigation of Aspects of High-Speed Sintering of Plasma-Chemical Nanopowders of Tungsten Carbide with Higher Content of Oxygen
Inorganic materials : applied research, 2021-05, Vol.12 (3), p.650-663
2021
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Structural-phase features of WC-based ceramics obtained by the spark plasma sintering method
IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2021-01, Vol.1014 (1), p.12053
2021
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Spark Plasma Sintering of WC–10Co Nanopowders with Various Carbon Content Obtained by Plasma-Chemical Synthesis
Inorganic materials : applied research, 2021-03, Vol.12 (2), p.528-537
2021
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Structural studies of a ferromagnetic GaMnSb layer
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-12, Vol.47 (12), p.1587-1590
2013
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Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-01, Vol.49 (1), p.55-59
2015
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Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-01, Vol.49 (1), p.9-12
2015
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Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-01, Vol.49 (1), p.1-3
2015
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Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-01, Vol.49 (1), p.118-123
2015
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Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-12, Vol.47 (12), p.1591-1594
2013
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Epitaxial growth of MnGa/GaAs layers for diodes with spin injection
Physics of the solid state, 2014-10, Vol.56 (10), p.2131-2134
2014
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Tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-12, Vol.46 (12), p.1476-1480
2012
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Influence of the ion synthesis and ion doping regimes on the effect of sensitization of erbium emission by silicon nanoclusters in silicon dioxide films
Physics of the solid state, 2013-11, Vol.55 (11), p.2361-2367
2013
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