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TRANSITION OF PHOSPHORUS INTO FERROPHOSPHORUS AND FLUORINE INTO GASEOUS CALCIUM FLUORIDES DURING THE PRODUCTION OF FERROALLOY, CALCIUM CARBIDE AND PHOSPHORUS FROM PHOSPHORITE
International Journal of Applied and Fundamental Research (Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований), 2023 (11 2023), p.61-65
2023
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ENVIRONMENTALLY SAFE TECHNOLOGIES FOR PROCESSING OFF-BALANCE SHEET AND WASTE FROM VARIOUS ENTERPRISES
Современные наукоемкие технологии (Modern High Technologies), 2021, Vol.1 (12 2021), p.40-44
2021
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KINETICS OF EXTRACTION OF INORGANIC CHLORIDES FROM LEAD PRODUCTION SLAGS IN THE PRESENCE OF DISTILLER LIQUID
Rasāyan journal of chemistry, 2020-10, Vol.13 (4), p.2646-2652
2020
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Study of the Chemical Interactions Between Iron Phosphides and Iron Silicides
Eurasian chemico-technological journal, 2015-01, Vol.17 (1), p.67-74
2015
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Production of ferroalloys from carbonaceous rock with replacement of steel chips with magnetite
Engineering Journal of Satbayev University, 2022, Vol.144 (2), p.5-10
2022
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The Research of Fluxed Sinter Production with Sufficiently High Strength and Improved Technological Properties
Eurasian chemico-technological journal, 2012-01, Vol.14 (4), p.351-356
2012
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P-InAsSbP/p-InAs0.88Sb0.12/n-InAs0.88Sb0.12/n+-InAs PDs with a smooth p-n junction
Infrared physics & technology, 2018-01, Vol.88, p.223-227
2018
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Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-02, Vol.51 (2), p.260-266
2017
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P-InAsSbP/n-InAs single heterostructure back-side illuminated 8×8 photodiode array
Infrared physics & technology, 2016-09, Vol.78, p.249-253
2016
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InAsSbP Photodiodes for 2.6-2.8-[micro]m Wavelengths
Technical physics, 2018-02, Vol.63 (2), p.226
2018
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Corrigendum to “InAsSbP/InAs0.9Sb0.1/InAs DH photodiodes ([formula omitted]0.1 = 5.2 μm, 300 K) operating in the 77–353 K temperature range” [Infrared Phys. Technol. 73 (2015) 232–237]
Infrared physics & technology, 2016-05, Vol.76, p.777-777
2016
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Low dark current P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP/n+-InAs double heterostructure back-side illuminated photodiodes
Infrared physics & technology, 2016-05, Vol.76, p.542-545
2016
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InAsSbP/InAs0.9Sb0.1/InAs DH photodiodes (λ0.1=5.2μm, 300K) operating in the 77–353К temperature range
Infrared physics & technology, 2015-11, Vol.73, p.232-237
2015
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InAsSbP/InAs 0.9 Sb 0.1 /InAs DH photodiodes ( λ 0.1 = 5.2 μm, 300 K) operating in the 77–353 К temperature range
Infrared physics & technology, 2015-11, Vol.73, p.232-237
2015
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Photodiode 1 x 64 linear array based on a double p-InAsSbP/n-In[As.sub.0.92][Sb.sub.0.08]/[n.sup.+]-InAs heterostructure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-05, p.646
2016
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Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes
Infrared physics & technology, 2014-05, Vol.64, p.62-65
2014
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Aerospace laser sensing of cloudiness: numerical statistical modeling
Russian physics journal, 2013-08, Vol.56 (3), p.241-250
2013
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P-InAsSbP/[n.sup.0]-InAs/[n.sup.+]-InAs photodiodes for operation at moderate cooling
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-10, Vol.48 (10), p.1359
2014
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Synthesis of polymer crown ethers by cyclopolymerization of divinyl ethers of mono-, tri- and tetraethylene glycols
Polymer science USSR, 1986, Vol.28 (11), p.2576-2580
1986
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