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Differences in Emission Spectra of Dislocations in 4H-SiC Epitaxial Layers

Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.345-348

2009

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Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes

Journal of electronic materials, 2007-04, Vol.36 (4), p.318-323

2007

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Examination of In-Grown Stacking Faults in 8°- and 4°-Offcut 4H-SiC Epitaxy by Photoluminescence Imaging

Journal of electronic materials, 2008-05, Vol.37 (5), p.730-735

2008

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Synchrotron X-Ray Topographic Studies of Recombination Activated Shockley Partial Dislocations in 4H-Silicon Carbide Epitaxial Layers

Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.357-360

2009

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Reversal of forward voltage drift in 4H-SiC p-i-n diodes via low temperature annealing

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (14)

2007

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Whole-Wafer Mapping of Dislocations in 4H-SiC Epitaxy

Materials science forum, 2007-09, Vol.556-557, p.295-298, Article 295

2007

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Differences in emission spectra of Si- and C-core partial dislocations

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (15), p.153503-153503-3

2007

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Optically stimulated picosecond field emission pulses from gated p -silicon field emitter arrays

Applied physics letters, 2007-02, Vol.90 (8), p.083506-083506-3

2007

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Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy

Journal of electronic materials, 2007-04, Vol.36 (4), p.297-306

2007

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Characterization of defects in the drift region of 4H-SiC pin diodes via optical beam induced current

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2006-07, Vol.24 (4), p.2178-2183

2006

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Temperature Dependence of Shockley Stacking Fault Expansion and Contraction in 4H-SiC p-i-n Diodes

Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.273-278

2009

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Interaction between Recombination Enhanced Dislocation Glide Process Activated Basal Stacking Faults and Threading Dislocations in 4H-Silicon Carbide Epitaxial Layers

MRS proceedings, 2007, Vol.994, Article 0994-F12-03

2007

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Examining Dislocations in SiC Epitaxy by Light Emission from Simple Diode Structures

Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.387-390

2006

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Investigation of Electron–Hole Recombination-Activated Partial Dislocations and Their Behavior in 4H-SiC Epitaxial Layers

Journal of electronic materials, 2008-05, Vol.37 (5), p.706-712

2008

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Impact of 4H-SiC Substrate Defectivity on Epilayer Injected Carrier Lifetimes

Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.481-484

2009

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Determination of the Core-structure of Shockley Partial Dislocations in 4H-SiC

MRS proceedings, 2008, Vol.1069, Article 1069-D03-03

2008

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Optical, Electrical and Lifetime Characterization of In-Grown Stacking Faults in 4H-SiC

MRS proceedings, 2006, Vol.911, Article 0911-B03-05

2006

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Nondestructive dislocation delineation using topographically enhanced imaging of surface morphologies in 4H-SiC epitaxial layers

Journal of applied physics, 2008-04, Vol.103 (7)

2008

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Photoresponse of gated p-silicon field emitter array and correlation with theoretical models

Journal of applied physics, 2006-02, Vol.99 (3)

2006

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Nanocrystalline diamond films as UV-semitransparent Schottky contacts to 4H-SiC

Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (16)

2007

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Nondestructive dislocation delineation using topographically enhanced imaging of surface morphologies in 4 H - Si C epitaxial layers

Journal of applied physics, 2008-04, Vol.103 (7), p.074904-074904-7

2008

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Observation of a multilayer planar in-grown stacking fault in 4H-SiC p-i-n diodes

Applied physics letters, 2006-09, Vol.89 (10)

2006

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Photoresponse of gated p -silicon field emitter array and correlationwith theoretical models

Journal of applied physics, 2006-02, Vol.99 (3), p.034502-034502-12

2006

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Evolution of Basal Plane Dislocations during 4H-SiC Epitaxial Growth

Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.317-320

2009

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Reversal of forward voltage drift in 4 H - Si C p - i - n diodes via lowtemperature annealing

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (14), p.143519-143519-3

2007

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