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Open Access
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Stress migration model for Cu interconnect reliability analysis
Journal of applied physics, 2011-10, Vol.110 (7), p.073504-073504-5
2011
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A simple electrical method for etch bias and process reliability determination
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2010, p.562-565
2010
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Non-destructive current-ramp dielectric breakdown (IRDB) for fast BEOL reliability monitoring
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2010, p.117-119
2010
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New perspectives of dielectric breakdown in low-k interconnects
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.476-480
2009
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Understanding the materials, electrical and reliability impact of Al-addition to ZrO2 for BEOL compatible MIM capacitors
Proceedings of Technical Program - 2014 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2014, p.1-2
2014
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TDDB Kinetics and their Relationship with the E- and √E-models
2008 International Interconnect Technology Conference, 2008, p.168-170
2008
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Moore’s Law: Technology Scaling and Reliability Challenges
Microelectronics to Nanoelectronics, 2013, p.1-28
1, 2013
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