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0 − ↔ 0 + beta decay and muon capture in the A = 16 nuclei

Physical review. C, Nuclear physics, 1977-01, Vol.16 (3), p.1120-1123

1977

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A 0.1-[mu]m 1.8-V 256-Mb Phase-Change Random Access Memory (PRAM) With 66-MHz Synchronous Burst-Read Operation

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-01, Vol.42 (1), p.210-218

2007

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A 0.1-μm 1.8-V 256-Mb phase-change random access memory (PRAM) with 66-MHz synchronous burst-read operation

IEEE journal of solid-state circuits, 2007, Vol.42 (1), p.210-218

2007

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A 0.127 μm2 High Performance 65nm SOI Based embedded DRAM for on-Processor Applications

2006 International Electron Devices Meeting, 2006, p.1-4

2006

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0.15 μm gate length MHEMT technology for 77GHz automotive radar applications

2004

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A 0.17-1.4GHz low-jitter all digital DLL with TDC-based DCC using pulse width detection scheme

ESSCIRC 2008 - 34th European Solid-State Circuits Conference, 2008, p.82-85

2008

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A 0.18-μm 3.0-V 64-Mb nonvolatile phase-transition random access memory (PRAM)

IEEE journal of solid-state circuits, 2005, Vol.40 (1), p.293-300

2005

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A 0.18 /spl mu/m logic-based MRAM technology for high performance nonvolatile memory applications

2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407), 2003, p.15-16

2003

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A 0.18μm 3.0V 64Mb non-volatile phase-transition random-access memory (PRAM)

First edition, 2004

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A 0.24- mu m 2.0-V 1T1MTJ 16-kb nonvolatile magnetoresistance RAM with self-reference sensing scheme

IEEE journal of solid-state circuits, 2003-11, Vol.38 (11)

2003

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A 0.25-μm CMOS 1.9-GHz PHS RF transceiver with a 150-kHz low-IF architecture

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-06, Vol.42 (6), p.1318-1327

2007

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A 0.25-[mu]m CMOS 1.9-GHz PHS RF Transceiver With a 150-kHz Low-IF Architecture

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-06, Vol.42 (6), p.1318-1327

2007

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A 0.25- \mum CMOS 1.9-GHz PHS RF Transceiver With a 150-kHz Low-IF Architecture

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-06, Vol.42 (6), p.1318-1327

2007

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0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz

2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, 2005, Vol.2, p.3 pp.

2005

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A 0.25 μm complementary metal oxide semiconductor field effect transistor (CMOSFET) using halo implantation for 1 Gbit dynamic random access memory (DRAM)

Japanese journal of applied physics, 1996-02, Vol.35 (2B), p.865-868

1996

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0.3-nm SASE-FEL at PAL

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2004-08, Vol.528 (1), p.582-585