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An improved formula for the deflection of light by a massive object
European journal of physics, 2020-01, Vol.42 (1), p.15602
2020
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Extensive Investigation of Time-Dependent Breakdown of GaN-HEMTs Submitted to OFF-State Stress
IEEE transactions on electron devices, 2015-08, Vol.62 (8), p.2549-2554
2015
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Effect of Resistance Drift on the Activation Energy for Crystallization in Phase Change Memory
Japanese Journal of Applied Physics, 2012-02, Vol.51 (2), p.02BD06-02BD06-5
2012
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Effect of Resistance Drift on the Activation Energy for Crystallization in Phase Change Memory
Japanese Journal of Applied Physics, 2012-02, Vol.51 (2S), p.2
2012
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Memory retention of doped SbTe phase change line cells measured isothermally and isochronally
MRS proceedings, 2010, Vol.1250 (1), Article 1250-G14-04-H07-04
2010
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Barrier Height Variation in Ni-Based AlGaN/GaN Schottky Diodes
IEEE transactions on electron devices, 2017-10, Vol.64 (10), p.4050-4056
2017
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Resistance and Threshold Switching Voltage Drift Behavior in Phase-Change Memory and Their Temperature Dependence at Microsecond Time Scales Studied Using a Micro-Thermal Stage
IEEE transactions on electron devices, 2011-03, Vol.58 (3), p.584-592
2011
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Investigation of surface charges and traps in gallium nitride/aluminium gallium nitride/gallium nitride high-voltage transistors via measurements and technology computer-aided design simulations of transfer characteristics of metal–insulator–semiconductor field-effect transistors and high-electron-mobility transistors
IET power electronics, 2015-12, Vol.8 (12), p.2322-2328
2015
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The effect of the surface fixed charge and donor traps on the C(V) and transfer characteristics of a GaN MISFET - Experiment and TCAD simulations
2014 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, p.329-332
2014
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Open Access
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Modelling 2DEG charges in AlGaN/GaN heterostructures
CAS 2012 (International Semiconductor Conference), 2012, Vol.2, p.363-366
2012
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Design and analyses of bias current circuits for operation at output voltages above BVCEO
2004
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The dynamics of surface donor traps in AlGaN/GaN MISFETs using transient measurements and TCAD modelling
2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014, p.17.1.1-17.1.4
2014
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Anomalous behavior of surface leakage currents in heavily doped gated-diodes
IEEE transactions on electron devices, 1993-12, Vol.40 (12), p.2273-2281
1993
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Low-Power, Ultra-Low Capacitance Bipolar Transistor Compatible with Mainstream CMOS
ESSDERC '95: Proceedings of the 25th European Solid State Device Research Conference, 1995, p.425-428
1995
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Poly-ridge emitter transistor (FRET): simple low-power option to a bipolar process
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting, 1993, p.453-456
1993
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