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0.2 /spl mu/m T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with an InGaP diffusion barrier layer grown by LP-MOCVD using an N/sub 2/-carrier

1996 54th Annual Device Research Conference Digest, 1996, p.126-127

1996

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0.2 /spl mu/m T-gate InP/InGaAs/InP pHEMT with an InGaP diffusion barrier layer grown by LP-MOCVD using an N/sub 2/-carrier

Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1996, p.666-669

1996

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0.2μm T-gate InP/InGaAs/ InP pHEMT with an InGaP diffusion barrier layer grown by LP-MOCVD using an N2-carrier

ESSDERC '96: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference, 1996, p.877-880

1996

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The absence of Fraunhofer patterns in narrow Nb/InAs-nanowire/Nb junctions

AIP Conference Proceedings, 2013, Vol.1566 (1), p.110

2013

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Adjustment of the critical current in a Nb–InxGa1−xAs/InP Josephson contact by light exposure

Applied physics letters, 1999-07, Vol.75 (3), p.391-393

1999

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Aharonov-Bohm effect in quasi-one-dimensional In 0.77 Ga 0.23 As/InP rings

Physical review. B, Condensed matter, 1995-02, Vol.51 (7), p.4336-4342

1995

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Aharonov-Bohm effect in quasi-one-dimensional In0.77Ga0.23As/InP rings

Physical review. B, Condensed matter, 1995-02, Vol.51 (7), p.4336-4342

1995

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(AlGa)As grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy using a N2 carrier

Journal of electronic materials, 1994-10, Vol.23 (10), p.1061-1065

1994

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AlGaN/GaN HEMT Optimization Using the RoundHEMT Technology

Physica status solidi. A, Applied research, 2001-11, Vol.188 (1), p.199-202

2001

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AlGaN/GaN Round-HEMTs on (111) silicon substrates

Electronics letters, 2001-10, Vol.37 (22), p.1-1

2001

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AlGaN/GaN Round-HEMTs on (111) silicon substrates

Electronics letters, 2001-10, Vol.37 (22), p.1364-1366

2001

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Alkalimanganselenide und ‐telluride A 2 Mn 3 X 4 – Synthese, Kristall‐ und Spinstruktur

Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950), 1996-02, Vol.622 (2), p.313-318

1996

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Alkalimanganselenide und -telluride A2Mn3X4 - Synthese, Kristall- und Spinstruktur

Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950), 1996-02, Vol.622 (2), p.313-318

1996

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Alkalimanganselenide und ‐telluride A2Mn3X4 – Synthese, Kristall‐ und Spinstruktur

Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950), 1996-02, Vol.622 (2), p.313-318

1996

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An Alternative Path for the Fabrication of Self-Assembled III-Nitride Nanowires

Future Trends in Microelectronics, 2013, p.340-350

1, 2013

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Ballistic and spin transport in InAs nanowires

2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2016, p.1-2

2016

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Barrier height enhancement of Schottky diodes on n-In0.53Ga0.47As by cryogenic processing

Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (14), p.1939-1941

1993

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Book Review

Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 2015, Vol.61 (2-4), p.63

Hardtdegen, H.

2015

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Characterization of hydrogen passivation and carbon self-compensation of highly C-doped GaAs by means of x-ray diffraction

Journal of applied physics, 1996-01, Vol.79 (2), p.710-716

1996

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Characterization of interface structure in GaInAs/InP superlattices by means of X-ray diffraction

Journal of crystal growth, 1992-11, Vol.124 (1), p.583-588

1992

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Characterization of Interface Structure in GalnAs/lnP Superlattices by means of X-Ray Diffraction

Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 1992, p.234-235

1992

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Chemical Vapor Epitaxy of AlxGa1−xAs

Encyclopedia of Materials: Science and Technology, 2011, p.1187-1191

Hardtdegen, H.

2011

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ChemInform Abstract: Alkali Metal Manganese Chalcogenides A2MnX2 with A: K, Rb, or Cs and X: S, Se, or Te

ChemInform, 1989-11, Vol.20 (45), p.no-no

1989

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ChemInform Abstract: Alkali Metal Manganese Selenides and Tellurides - Synthesis, Crystal and Spin Structures

ChemInform, 1996-05, Vol.27 (20), p.no-no

1996

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ChemInform Abstract: Synthesis, Structure, and Magnetic Properties of Alkali Metal Manganese Chalcogenides A6MnX4 with A: Na or K and X: S, Se, or Te

ChemInform, 1989-11, Vol.20 (45), p.no-no

1989

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