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Surface band bending of a -plane GaN studied by scanning Kelvin probe microscopy

Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (12), p.122104-122104-3

2006

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Off-state breakdown and dispersion optimization in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors utilizing carbon doped buffer

Applied physics letters, 2012-05, Vol.100 (22), p.223502-223502-3

2012

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Effect of gate trench fabrication technology on reliability of AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors

Microelectronics and reliability, 2014-09, Vol.54 (9-10), p.2191-2195

2014

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Thermal conductivity of bulk ZnO after different thermal treatments

Journal of electronic materials, 2006-04, Vol.35 (4), p.550-555

2006

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Study of SiNx and SiO2 passivation of GaN surfaces

Journal of applied physics, 2007-06, Vol.101 (11)

2007

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Reactive ion etch damage on GaN and its recovery

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2006-05, Vol.24 (3), p.1197-1201

2006

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n-Al0.15Ga0.85N/p-6H–SiC heterostructure and based bipolar transistor

Microelectronics and reliability, 2010-12, Vol.50 (12), p.2090-2092

2010

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n-Al0.15Ga0.85 N/p-6H–SiC heterostructure and based bipolar transistor

Microelectronics and reliability, 2010-12, Vol.50 (12), p.2090-2092

2010

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Optical and Magnetic Properties of ZnO:V Prepared by Ion Implantation

Journal of electronic materials, 2007-04, Vol.36 (4), p.483-487

2007

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Structural Characteristics of Sputter-Deposited Pb(Zr,Ti)O3/ZnO Heterostructure Films

Journal of the Korean Physical Society, 2008, 53(4), , pp.1982-1986

2008

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Epitaxial Lateral Overgrowth of (1-100) m-Plane GaN on m-Plane 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.1273-1276

2009

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Compact 12×12-Pixel THz Camera using AlGaN/GaN HEMT Technology Operating at Room Temperature

2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2021, p.1-2

2021

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Effects of Rapid Thermal Annealing Treatment on the Surface Band Bending of n-type GaN Studied by Surface Potential Electric Force Microscopy

Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.1529-1532

2006

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GaN Resistive Gas Sensors for Hydrogen Detection

Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.1553-1556

2006

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Growth and Polarity Control of GaN and AlN on Carbon-face SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

MRS proceedings, 2006, Vol.955, Article 0955-I07-37

2006

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Comparative study of the (0001) and ( 000 1 ¯ ) surfaces of ZnO

Applied physics letters, 2006-11, Vol.89 (18), p.182111-182111-3

2006

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GaN resistive hydrogen gas sensors

Applied physics letters, 2005-08, Vol.87 (7), p.073507-073507-3

2005

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Structural and electrical properties of Pb(Zr,Ti)O3 films grown by molecular beam epitaxy

Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (18)

2007

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Optical and magnetic properties of ZnO:V prepared by ion implantation: Group III Nitrides, SiC and ZnO

Journal of electronic materials, 2007, Vol.36 (4), p.483-487

2007

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Structural and electrical properties of Pb ( Zr , Ti ) O 3 films grownby molecular beam epitaxy

Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (18), p.182906-182906-3

2007

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Study of SiN x and SiO 2 passivation of GaN surfaces

Journal of applied physics, 2007-06, Vol.101 (11), p.113709-113709-7

2007

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Structural and electrical properties of Pb(Zr,Ti)O{sub 3} films grown by molecular beam epitaxy

Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (18)

2007

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Deep centers in GaN layers grown on epitaxial lateral overgrowth templates by metalorganic chemical vapor deposition

MRS proceedings, 2006, Vol.955, Article 0955-I07-48

2006

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Effect of Growth Conditions on Structural and Electrical Properties of Pb(Zr x Ti 1−x )O 3 layers grown by peroxide MBE

MRS proceedings, 2007, Vol.1034, Article 1034-K10-27

2007

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Effect of Growth Conditions on Structural and Electrical Properties of Pb(ZrxTi1−x)O3 layers grown by peroxide MBE

MRS proceedings, 2007, Vol.1034

2007

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