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Enabling Energy Efficiency and Polarity Control in Germanium Nanowire Transistors by Individually Gated Nanojunctions

ACS nano, 2017-02, Vol.11 (2), p.1704-1711

2017

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Mobility Investigations on Strained 30-nm High- k Metal Gate MOSFETs by Geometrical Magnetoresistance Effect

IEEE transactions on electron devices, 2015-06, Vol.62 (6), p.1819-1825

2015

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Temperature dependent switching behaviour of nickel silicided undoped silicon nanowire devices

Physica status solidi. C, 2014-11, Vol.11 (11-12), p.1611-1617

2014

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Development Of nanowire devices with quantum functionalities

2014 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices, 2014, p.75-76

2014

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(Te2)2(I2)-An Unusual Intercalation Compound

Angewandte Chemie International Edition, 1985-05, Vol.24 (5), p.393-394

1985

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Phase Transition of Na3As under Pressure

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1990-10, Vol.45 (10), p.1388-1392

1990

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TID and DSEE Effects in a Voltage Clamp IC Prototype for Space Applications

2023 13th European Space Power Conference (ESPC), 2023, p.1-5

2023

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Pressure-Induced Phase Transition of the Alkali Metal Amalgam KHg2

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1993-01, Vol.48 (1), p.11-14

1993

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Polymorphie von Tellur(IV)-iodid

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1988-08, Vol.43 (8), p.966-980

1988

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(Te2)2(I2) - eine ungewöhnliche Intercalationsverbindung

Angewandte Chemie, 1985-05, Vol.97 (5), p.399-400

1985

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Phase Transition of Na 3 As under Pressure

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1990-10, Vol.45 (10), p.1388-1392

1990

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Phasenbeziehungen in Systemen In2X3−InY3 sowie Strukturbeziehungen, Kristallzucht und optische Absorption von Verbindungen InXY [X = Se, Te; Y = Cl, Br, I] / Phase Relations in Systems In2X3−InY3 and Structural Relations, Crystal Growth and Optical Absorption of Compounds InXY [X = Se, Te; Y = Cl, Br, I]

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1981-12, Vol.36 (12), p.1520-1525

1981

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Phasenbeziehungen in Systemen In 2 X 3 −InY 3 sowie Strukturbeziehungen, Kristallzucht und optische Absorption von Verbindungen InXY [X = Se, Te; Y = Cl, Br, I] / Phase Relations in Systems In 2 X 3 −InY 3 and Structural Relations, Crystal Growth and Optical Absorption of Compounds InXY [X = Se, Te; Y = Cl, Br, I]

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1981-12, Vol.36 (12), p.1520-1525

1981

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Pressure-Induced Phase Transition of the Alkali Metal Amalgam KHg 2

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1993-01, Vol.48 (1), p.11-14

1993

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Polymorphie von Tellur(IV)-iodid/ Polymorphism of Tellurium(IV) Iodide

Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, 1988-08, Vol.43 (8), p.966-980

1988

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Phasenumwandlungen von Lithiumnitrid unter Druck

Angewandte Chemie, 1988-08, Vol.100 (8), p.1116-1118

1988

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Phase Transformations of Lithium Nitride under Pressure

Angewandte Chemie International Edition, 1988-08, Vol.27 (8), p.1101-1103

1988

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(Te2)2(I2) ‐ eine ungewöhnliche Intercalationsverbindung

Angewandte Chemie, 1985-05, Vol.97 (5), p.399-400

1985

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Phase relations in Ga 2X 3-GaY 3 systems (X=Se,Te; Y=Cl,Br,I) — Crystal growth, structural relations and optical absorption of intermediate compounds GaXY

Materials research bulletin, 1983, Vol.18 (5), p.615-620

1983

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Phase relations in Ga2X3-GaY3 systems (X=Se,Te; Y=Cl,Br,I) — Crystal growth, structural relations and optical absorption of intermediate compounds GaXY

Materials research bulletin, 1983-01, Vol.18 (5), p.615-620

1983

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Phasenumwandlungen von Lithiumnitrid unter Druck

Angewandte Chemie, 1988-08, Vol.100 (8), p.1116-1118

1988

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125Te Mössbauer spectra of the intercalation compound (Te 2) 2(I 2)

Inorganica Chimica Acta, 1988-06, Vol.146 (1), p.85-87

1988

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High-power 810-nm GaAsP-AlGaAs diode lasers with narrow beam divergence

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2001-03, Vol.7 (2), p.334-339

2001

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High-power highly reliable Al-free 940-nm diode lasers

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2001-03, Vol.7 (2), p.143-148

2001

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Tensile-strained GaAsP-AlGaAs laser diodes for reliable 1.2-W continuous-wave operation at 735 nm

IEEE photonics technology letters, 2001-01, Vol.13 (1), p.7-9

2001

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