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Efficiency of body biasing in 90-nm CMOS for low-power digital circuits

IEEE journal of solid-state circuits, 2005-07, Vol.40 (7), p.1549-1556

2005

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Physik und Physikalisches Praktikum: Mit Fehlerrechnung und Statistik Ein Lehrbuch speziell für MTA

Ramm, Bernd

1982

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Sprache im Umbruch: Politischer Wandel im Zeichen von "Wende" und "Vereinigung"

Arnim Burkhardt, K. Peter Fritzsche / Arnim Burkhardt, K. Peter Fritzsche

Reprint 2015 edition., 2015

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Multi-gate devices for the 32 nm technology node and beyond

Solid-state electronics, 2008-09, Vol.52 (9), p.1291-1296

2008

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Highly accurate product-level aging monitoring in 40nm CMOS

2010 Symposium on VLSI Technology, 2010, p.27-28

2010

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Toward System on Chip (SoC) Development Using FinFET Technology: Challenges, Solutions, Process Co-Development & Optimization Guidelines

IEEE transactions on electron devices, 2011-06, Vol.58 (6), p.1597-1607

2011

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A 10-Bit current-steering FinFET D/A converter

2008 IEEE International SOI Conference, 2008, p.95-96

2008

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Analog design challenges and trade-offs using emerging materials and devices

ESSCIRC 2007 - 33rd European Solid-State Circuits Conference, 2007, p.123-126

2007

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Multi-Gate MOSFET Design

2006 European Solid-State Device Research Conference, 2006, p.65-68

2006

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A Low-Power Multi-Gate FET CMOS Technology with 13.9ps Inverter Delay, Large-Scale Integrated High Performance Digital Circuits and SRAM

2007 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2007, p.106-107

2007

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Multi-gate devices for the 32nm technology node and beyond

ESSDERC 2007 - 37th European Solid State Device Research Conference, 2007, p.143-146

2007

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Advances in Multi-Gate MOSFET Circuit Design

2007 14th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, 2007, p.186-189

2007

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Multi-gate devices for the 32nm technology node and beyond

Solid-state electronics, 2008-09, Vol.52 (9), p.1291-1296

2008

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Multi-Gate MOSFET Design

2006 Proceedings of the 32nd European Solid-State Circuits Conference, 2006, p.66-69

2006

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Low-voltage 6T FinFET SRAM cell with high SNM using HfSiON/TiN gate stack, fin widths down to 10nm and 30nm gate length

2008 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology and Tutorial, 2008, p.59-62

2008

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Fabrication, optimization and application of complementary Multiple-Gate Tunneling FETs

2008 2nd IEEE International Nanoelectronics Conference, 2008, p.579-584

2008

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Layout options for stability tuning of SRAM cells in multi-gate-FET technologies

ESSCIRC 2007 - 33rd European Solid-State Circuits Conference, 2007, p.392-395

2007

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A low-leakage 2.5GHz skewed CMOS 32b adder for nanometer CMOS technologies

ISSCC. 2005 IEEE International Digest of Technical Papers. Solid-State Circuits Conference, 2005, 2005, p.380-605 Vol. 1

2005

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Efficiency of body biasing in 90 nm CMOS for low power digital circuits

Proceedings of the 30th European Solid-State Circuits Conference, 2004, p.175-178

2004

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Analog design challenges and trade-offs using emerging materials and devices

ESSDERC 2007 - 37th European Solid State Device Research Conference, 2007, p.123-126

2007

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Evaluation of FinFET RF Building Blocks

2007 IEEE International SOI Conference, 2007, p.39-40

2007

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Exploration of the Circuit Potential of Multiple-Gate Field-Effect Transistors

2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, 2006, p.167-168

2006

Volltextzugriff (PDF)

Circuit design issues in multi-gate FET CMOS technologies

2006 IEEE International Solid State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, 2006, p.1656-1665

2006

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Eine Farbreaktion des Isatins mit Pyridin und Essigsäureanhydrid

Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1936, Vol.522 (1), p.66-74

1936

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A voltage scaling model for performance evaluation in digital CMOS circuits

2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2009, p.1-4

2009

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