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Photonic crystal cavities in cubic (3C) polytype silicon carbide films
Optics express, 2013-12, Vol.21 (26), p.32623-32629
2013
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Nanodiamond Integration with Photonic Devices
Laser & photonics reviews, 2019-08, Vol.13 (8), p.n/a
2019
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How to Grow Fully (100) Oriented SiC/Si/SiC/Si Multi‐Stack
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2019-05, Vol.216 (10), p.n/a
2019
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Silicon deposition on 3C-SiC seeds of different orientations
2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1
2017
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Silicon (001) Heteroepitaxy on 3C-SiC(001)/Si(001) Seed
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.128-131
2018
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Visible Photoluminescence from Cubic (3C) Silicon Carbide Microdisks Coupled to High Quality Whispering Gallery Modes
ACS photonics, 2015-01, Vol.2 (1), p.14-19
2015
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Growth and Characterization of Undoped Polysilicon Thick Layers: Revisiting an Old System
SILICON, 2020-05, Vol.12 (5), p.1187-1194
2020
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MOS Interface Characteristics of In Situ Ge-Doped 4H-SiC Homoepitaxial Layers
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.512-515
2015
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Behavior and Chemical Reactions of Liquid Si and Ge on SiС Surface
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.121-124
2015
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Behavior and Chemical Reactions of Liquid Si and Ge on SiS Surface
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.121
2015
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Nanodiamond Integration with Photonic Devices
Laser & photonics reviews, 2019-07, Vol.13 (8)
2019
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Ge incorporation inside 4H-SiC during homoepitaxial growth by chemical vapor deposition
Acta materialia, 2014-08, Vol.75, p.219-226
2014
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Engineered SiC materials for power technologies
2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 2022, p.55-56
2022
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Behavior and Chemical Reactions of Liquid Si and Ge on SiC Surface
Materials science forum, 2015, Vol.821-823, p.121-124
2015
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Understanding of the Growth Mechanism Leading to Twin Boundary Elimination during 3C-SiC Heteroepitaxy on α-SiC Substrate by CVD
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.209-212
2015
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Understanding of the Growth Mechanism Leading to Twin Boundary Elimination during 3C-SiC Heteroepitaxy on [alpha]-SiC Substrate by CVD
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.209-212
2015
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3C-SiC Microdisks for Visible Photonics
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.711-714
2016
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Preliminary Study on the Effect of Micrometric Ge-Droplets on the Characteristics of Ni/4H-SiC Schottky Contacts
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.424-427
2015
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Ge Assisted 3C-SiC Nucleation and Growth by Vapour Phase Epitaxy on On-Axis 4H-SiC Substrate
Materials science forum, 2014-10, Vol.806, p.27-31
2014
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On the Formation of Graphene by Ge Intercalation of a 4H-SiC Surface
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.961-964
2015
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Ge Addition during 4H-SiC Epitaxial Growth by CVD: Mechanism of Incorporation
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.115-120
2015
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Ge Assisted SiC Epitaxial Growth by CVD on SiC Substrate
Materials science forum, 2014, Vol.778-780, p.187-192
2014
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Characterization of Ge-Doped Homoepitaxial Layers Grown by Chemical Vapor Deposition
Materials science forum, 2014, Vol.778-780, p.261-264
2014
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Exploring SiC Growth Limitation of Vapor-Liquid-Solid Mechanism when Using Two Different Carbon Precursors
Materials science forum, 2013, Vol.740-742, p.323-326
2013
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Visible photoluminescence in cubic (3C) silicon carbide coupled to high quality microdisk resonators
2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2015, p.1-2
2015
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