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GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
Journal of applied physics, 2021-11, Vol.130 (18)
2021
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The Effects of AlN and Copper Back Side Deposition on the Performance of Etched Back GaN/Si HEMTs
IEEE electron device letters, 2019-07, Vol.40 (7), p.1060-1063
2019
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Low Buffer Trapping Effects above 1200 V in Normally off GaN-on-Silicon Field Effect Transistors
Micromachines (Basel), 2022-09, Vol.13 (9), p.1519
2022
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High Breakdown Voltage and Low Buffer Trapping in Superlattice GaN-on-Silicon Heterostructures for High Voltage Applications
Materials, 2020-09, Vol.13 (19), p.4271
2020
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High Lateral Breakdown Voltage in Thin Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on AlN/Sapphire Templates
Micromachines (Basel), 2019-10, Vol.10 (10), p.690
2019
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Vertical Leakage in GaN-on-Si Stacks Investigated by a Buffer Decomposition Experiment
Micromachines (Basel), 2020-01, Vol.11 (1), p.101
2020
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AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors with Regrown Ohmic Contacts
Electronics (Basel), 2021-03, Vol.10 (6), p.635
2021
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Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-04, Vol.217 (7), p.n/a
2020
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Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-04, Vol.217 (7)
2020
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Robust Al0.23Ga0.77N channel HFETs on bulk AlN for high voltage power electronics
e-Prime, 2023-09, Vol.5, p.100263, Article 100263
2023
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Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: A comprehensive study based on a sequential growth experiment
Microelectronics and reliability, 2019-09, Vol.100-101, p.113461, Article 113461
2019
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Al‐Rich AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors on Silicon: A Relevant Approach for High Temperature Stability of Electron Mobility
Advanced electronic materials, 2024-06
2024
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Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2020, p.310-312
2020
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High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate
e-Prime, 2023-03, Vol.3, p.100114, Article 100114
2023
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  • BibTeX
A Fuzzy-PI control to extract an optimal power from wind turbine
Energy conversion and management, 2013-01, Vol.65, p.688-696
2013
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Prevalence and Patterns of EGFR Mutations in Non-small Cell Lung Cancer in the Middle East and North Africa
Cancer Control, 2022-09, Vol.29, p.107327482211294
2022
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Lung findings on thoracic high-resolution computed tomography in patients with ankylosing spondylitis. Correlations with disease duration, clinical findings and pulmonary function testing
Clinical rheumatology, 2004-04, Vol.23 (2), p.123-128
2004
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  • BibTeX
Virtual Machines' Load-Balancing in Inter-clouds
2016 IEEE 4th International Conference on Future Internet of Things and Cloud Workshops (FiCloudW), 2016, p.109-116
2016
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