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4H-SiC Trench MOSFET with Bottom Oxide Protection
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.919-922
2014
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Strategic Overview of High-Voltage SiC Power Device Development Aiming at Global Energy Savings
Materials science forum, 2014-01, Vol.778-780, p.1089-1095
2014
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Comparison of 600V Si, SiC and GaN Power Devices
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.971-974
2014
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Progress in High Voltage SiC and GaN Power Switching Devices
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1077-1082
2014
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Open Access
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SiC Power Devices Operation from Cryogenic to High Temperature: Investigation of Various 1.2kV SiC Power Devices
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1122-1125
2014
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SiC Etching and Sacrificial Oxidation Effects on the Performance of 4H-SiC BJTs
Materials Science Forum, 2014-01, Vol.778-780, p.1005-1008
2014
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Development of SiC Super-Junction (SJ) Devices by Multi-Epitaxial Growth
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.845-850
2014
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Top-Seeded Solution Growth of 3 Inch Diameter 4H-SiC Bulk Crystal Using Metal Solvents
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.79-82
2014
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Development of RAF Quality 150mm 4H-SiC Wafer
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.17-21
2014
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Development of 3.3 kV SiC-MOSFET: Suppression of Forward Voltage Degradation of the Body Diode
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.951-954
2014
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Study of 4H-SiC Schottky Diode Designs for 3.3kV Applications
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.795-799
2014
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Ultrahigh-Voltage (> 20 kV) SiC PiN Diodes with a Space-Modulated JTE and Lifetime Enhancement Process via Thermal Oxidation
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.832-835
2014
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Utilization of SiC MOSFET Body Diode in Hard Switching Applications
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.947-950
2014
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High Mobility 4H-SiC MOSFETs Using Lanthanum Silicate Interface Engineering and ALD Deposited SiO2
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.557-561
2014
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  • BibTeX
Electrical Characteristics/Reliability Affected by Defects Analyzed by the Integrated Evaluation Platform for SiC Epitaxial Films
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.979-984
2014
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Ti/Al/Si Ohmic Contacts for both n-Type and p-Type 4H-SiC
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.669-672
2014
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  • BibTeX
Impact of the Oxidation Temperature on the Interface Trap Density in 4H-SiC MOS Capacitors
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.599-602
2014
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Reliability of Gate Oxides on 4H-SiC Epitaxial Surface Planarized by CMP Treatment
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.545-548
2014
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SiC Power Devices as Enabler for High Power Density - Aspects and Prospects
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1104-1109
2014
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600 V -Class V-Groove SiC MOSFETs
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.931-934
2014
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  • BibTeX
Origin Analyses of Trapezoid-Shape Defects in 4-Deg.-off 4H-SiC Epitaxial Wafers by Synchrotron X-Ray Topography
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.374-377
2014
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Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages up to 2700 V and Stable Long-Term Operation
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1001-1004
2014
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Two Packaging Solutions for High Temperature SiC Diode Sensors
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1063-1066
2014
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Reduction of Density of 4H-SiC / SiO2 Interface Traps by Pre-Oxidation Phosphorus Implantation
Materials science forum, 2014, Vol.778-780, p.575-578
2014
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Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at High Speed during the Solution Growth of SiC
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.63-66
2014
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