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Relationship Between Basal Plane Dislocation Distribution and Local Basal Plane Bending in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2020-06, Vol.49 (6), p.3455-3464
2020
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Synchrotron X-ray Topography Studies of Dislocation Behavior During Early Stages of PVT Growth of 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2021-06, Vol.50 (6), p.3258-3265
2021
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Prismatic Slip in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2017-04, Vol.46 (4), p.2040-2044
2017
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Carrier Generation Lifetimes in 4H-SiC MOS Capacitors
IEEE transactions on electron devices, 2010-08, Vol.57 (8), p.1910-1923
2010
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Effects of anneals in ammonia on the interface trap density near the band edges in 4H–silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors
Applied physics letters, 2000-11, Vol.77 (22), p.3601-3603
2000
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A "Probe-Lift" MOS-Capacitor Technique for Measuring Very Low Oxide Leakage Currents and Their Effect on Generation Lifetime Extraction
IEEE transactions on electron devices, 2008-02, Vol.55 (2), p.565-571
2008
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Effect of process variations and ambient temperature on electron mobility at the SiO2/4H-SiC interface
IEEE transactions on electron devices, 2003-07, Vol.50 (7), p.1582
2003
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Free carrier distribution profiling of 4H-SiC substrates using a commercial optical scanner
Journal of applied physics, 2007-05, Vol.101 (9), p.093506-093506-7
2007
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The effects of NO passivation on the radiation response of SiO2/4H-SiC MOS capacitors
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2231-2235
2002
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A comparative study of micropipe decoration and counting in conductive and semi-insulating silicon carbide wafers
Journal of electronic materials, 2005-10, Vol.34 (10), p.1342-1348
2005
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