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  • BibTeX
The values of minority carrier diffusion lengths and lifetimes in GaN and their implications for bipolar devices
Solid-state electronics, 2000-02, Vol.44 (2), p.221-228
2000
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Theoretical investigations of spin splittings in asymmetric AlSb/InAs/GaSb heterostructures and the possibility of electric field induced magnetization
Superlattices and microstructures, 2001-12, Vol.30 (6), p.309-319
2001
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  • BibTeX
Exciton capture cross sections of indium and boron impurities in silicon
Solid state communications, 1980-12, Vol.36 (12), p.1039-1045
1980
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  • BibTeX
Systematics of bound excitons and bound multiexciton complexes for shallow donors in silicon
Solid state communications, 1978-01, Vol.28 (7), p.491-496
1978
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  • BibTeX
Nitride based high power devices: design and fabrication issues
Solid-state electronics, 1998-12, Vol.42 (12), p.2289-2294
1998
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  • BibTeX
Binding of an exciton to a neutral acceptor
Solid state communications, 1976-01, Vol.18 (11), p.1557-1560
1976
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  • BibTeX
Bound exciton lifetimes for acceptors in Si
Solid state communications, 1977-08, Vol.23 (7), p.425-428
1977
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  • BibTeX
Absorption and luminescence of the bound exciton in thallium doped silicon
Solid state communications, 1978-07, Vol.27 (3), p.317-320
1978
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  • BibTeX
Improved growth morphology of Si–Ge–C heterostructures through the use of Sb surfactant-assisted molecular beam epitaxy
Thin solid films, 1997-02, Vol.294 (1), p.105-111
1997
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  • BibTeX
Tunneling spectroscopy of resonant interband tunneling structures
Solid state communications, 1997, Vol.101 (8), p.607-610
1997
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  • BibTeX
Relaxation of coherent strain in Si1−xGex/Si superlattices and alloys
Thin solid films, 1989-12, Vol.183 (1-2), p.79-86
1989
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  • BibTeX
A new approach to wide band gap visible-light emitters
Physica. B, Condensed matter, 1993-04, Vol.185 (1), p.485-489
1993
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  • BibTeX
Reconstruction of the (110) surface of III–V semiconductor compounds
Surface science, 1981-10, Vol.110 (2), p.400-414
1981
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  • BibTeX
The peroxy radical model for the chemisorption of O 2 onto silicon surfaces
Solid state communications, 1976, Vol.18 (8), p.981-984
1976
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  • BibTeX
Large peak-to-valley current ratios in triple barrier heterostructures
Solid-state electronics, 1989-12, Vol.32 (12), p.1095-1099
1989
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Open Access
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  • BibTeX
The Mott insulator model of the Si(111)-(2 × 1) surface
Surface science, 1983-01, Vol.132 (1), p.49-61
1983
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  • BibTeX
Energy spectra of donors in GaAs Ga1− xAlxAs quantum well structures
Surface science, 1982, Vol.113 (1), p.161-164
1982
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  • BibTeX
Mbe-Growth of InAs and GaSb Epitaxial Layers on GaAs Substrates
MRS proceedings, 1989, Vol.145, Article 409
1989
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  • BibTeX
Breit-Wigner-Fano resonances in the photoconductivity of semiconductors: Experiment
Solid state communications, 1983-01, Vol.47 (3), p.167-169
1983
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  • BibTeX
Dipoles, defects and interfaces
Surface science, 1983-01, Vol.132 (1), p.456-464
1983
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  • BibTeX
X-point tunneling in AlAs/GaAs double barrier heterostructures
Solid-state electronics, 1989-12, Vol.32 (12), p.1513-1517
1989
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  • BibTeX
Breit-Wigner-Fano resonances in the photoconductivity of semiconductors: theory
Solid state communications, 1983-01, Vol.47 (3), p.171-175
1983
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  • BibTeX
Ground state energies of bound exciton for all mass ratios
Solid state communications, 1979-01, Vol.30 (4), p.187-190
1979
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  • BibTeX
Theory of donor states in GaP: The role of the camel's back
Solid state communications, 1980-01, Vol.33 (10), p.1035-1039
1980
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  • BibTeX
Low lying excited states of the bound exciton in a spherical model
Solid state communications, 1979-01, Vol.32 (4), p.319-322
1979
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