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True Material Limit of Power Devices-Applied to 2-D Superjunction MOSFET
IEEE transactions on electron devices, 2018-04, Vol.65 (4), p.1432-1439
2018
Open Access
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The Trench Power MOSFET: Part I-History, Technology, and Prospects
IEEE transactions on electron devices, 2017-03, Vol.64 (3), p.674-691
2017
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1100 V, 22.9 mΩcm2 4H-SiC RESURF Lateral Double-Implanted MOSFET With Trench Isolation
IEEE transactions on electron devices, 2021-10, Vol.68 (10), p.5009-5013
2021
Open Access
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Numerical Study of SiC MOSFET With Integrated n-/n-Type Poly-Si/SiC Heterojunction Freewheeling Diode
IEEE transactions on electron devices, 2021-09, Vol.68 (9), p.4571-4576
2021
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Efficiency Evaluation of the Modular Multilevel Converter Based on Si and SiC Switching Devices for Medium/High-Voltage Applications
IEEE transactions on electron devices, 2015-02, Vol.62 (2), p.286-293
2015
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Design and simulation on improving the reliability of gate oxide in SiC CDMOSFET
Diamond and related materials, 2019-01, Vol.91, p.213-218
2019
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High voltage Si/SiC hybrid switch: An ideal next step for SiC
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2015, p.289-292
2015
Open Access
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Novel Electronic Devices in Macroporous Silicon: Design of FET Transistors for Power Applications
IEEE transactions on electron devices, 2011-09, Vol.58 (9), p.3065-3071
2011
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  • BibTeX
Device Screening Strategy for Balancing Short-Circuit Behavior of Paralleling Silicon Carbide MOSFETs
IEEE transactions on device and materials reliability, 2019-12, Vol.19 (4), p.757-765
2019
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  • BibTeX
Dependence of normally-off GaAs JFET performance on device structure
IEEE transactions on electron devices, 1982-11, Vol.29 (11), p.1755-1760
1982
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