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A 3.5 in. QVGA poly-Si TFT-LCD with integrated driver including new 6-bit DAC
Solid-state electronics, 2005-07, Vol.49 (7), p.1107-1111
2005
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Optical properties of β-In2S3 and β-In2S3:Co2+ single crystals
Semiconductor science and technology, 2001-02, Vol.16 (2), p.98-102
2001
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CHARACTERIZATION OF NOVEL ELECTRODE FOR HIGH-DENSITY Pb(Zr, Ti)O 3 CAPACITOR APPLICATION
Integrated ferroelectrics, 2006-11, Vol.81 (1), p.15-26
2006
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Planar and Parallel Dielectric Properties of Compositionally Graded (Ba, Sr)TiO3 Thin Films for Tunable Microwave Applications
Integrated ferroelectrics, 2003-01, Vol.58, p.1305-1314
2003
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Atomic Layer Deposition (ALD) of Bismuth Titanium Oxide Thin Films Using Direct Liquid Injection (DLI) Method
Integrated ferroelectrics, 2003-09, Vol.59 (1), p.1483-1489
2003
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Crystallographic Orientation Dependent Ferroelectric Characteristics of (Bi3.3,La0.8)Ti3O12 (BLT) Capacitors
Integrated ferroelectrics, 2005-01, Vol.70 (1), p.89-97
2005
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A 1.6Gb/s/pin double-data-rate SDRAM with wave-pipelined CAS latency control
2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519), 2004, p.210-523 Vol.1
2004
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Deposition of SrFeO3−δ-Dispersed SrMoO4 Oxide Thin Films on Si (100) Surface for Spintronic Applications
Integrated ferroelectrics, 2004-01, Vol.67 (1), p.25-30
2004
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Improvement of Gate Oxide Integrity in Low Temperature Poly Silicon TFT
MRS proceedings, 2003, Vol.762, Article A20.3
2003
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Improvement of sheet resistance and gate oxide integrity using phosphorus ion implantation in tungsten polycide gate
Solid-state electronics, 2000-03, Vol.44 (3), p.393-399
2000
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A 3.3V 4Gb four-level NAND flash memory with 90nm CMOS technology
First edition, 2004
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Effect of annealing on electrical properties of Pt/β-SiC contact
Solid-state electronics, 2001-09, Vol.45 (9), p.1565-1570
2001
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Charging effects on reliability of HfO2 devices with polysilicon gate electrode
2002
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Photoluminescence spectra of ZnAl2Se4-4xS4x single crystals
Semiconductor science and technology, 2000-10, Vol.15 (10), p.1001-1004
2000
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Hydrothermally Grown PZT Thick Films on Ba(Zr,Ti)O 3 Substrates
Integrated ferroelectrics, 2005-01, Vol.69 (1), p.73-81
2005
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Abnormal gate oxide thickening at active edge with SiN-linered shallow trench isolation
2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual, 2003, p.121-125
2003
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Annealing effects of polycrystalline silicon gate on electrical properties of thin gate oxide
Solid-state electronics, 1998-04, Vol.42 (4), p.557-566
1998
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An analytical model for the effect of graded gate oxide on the channel electric field in MOSFETs with lightly doped drain structure
Solid-state electronics, 1997-04, Vol.41 (4), p.650-654
1997
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Micro fluxgate sensor using solenoid driving and sensing coils
2002 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. COMMAD 2002. Proceedings (Cat. No.02EX601), 2002, p.237-240
2002
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Light-Induced Effects on Fluorinated Amorphous and Microcrystalline Silicon Films
MRS proceedings, 1996, Vol.420, Article 323
1996
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Practical next generation solution for stand-alone and embedded DRAM capacitor
2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303), 2002, p.114-115
2002
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HCI and BTI characteristics of ALD HfSiO(N) gate dielectrics as the compositions and the post treatment conditions
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004, 2004, p.125-128
2004
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Characteristics of XeCl Excimer-Laser Annealed Insulator
MRS proceedings, 1996, Vol.420, Article 105
1996
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Poly-Si gate CMOSFETs with HfO2-Al2O3 laminate gate dielectric for low power applications
2002
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Electron Emission from Gated Diamond Emitter Array
MRS proceedings, 1998, Vol.509, Article 77
1998
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