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Molecular beam epitaxy growth of antimonide avalanche photodetectors with InAs/AlSb superlattice as the n-type layer
Journal of crystal growth, 2000, Vol.208 (1), p.183-188
2000
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Model calculations for n-CdZnS light emitter grown on p-GaN hole injector
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.502-505
1996
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Growth of InAs/Ga1-xInxSb infrared superlattices
Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1-4), p.683-687
1991
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Excitons in II-VI heterostructures
Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.117 (1), p.742-747
1992
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Investigation of crystal quality and surface morphology of ZnTe:N epilayers grown on ZnTe and GaSb substrates
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.523-528
1994
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Measurement of the MgSe/Cd0.54Zn0.46Se valence band offset by X-ray photoelectron spectroscopy
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1-4), p.508-512
1994
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Advances in the development of graded injector visible light emitters
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.692-696
1994
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Electric field assisted doping of semiconductors during epitaxial growth
Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1), p.782-786
1991
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Superlattices of II–VI semiconductors
Journal of crystal growth, 1987-11, Vol.85 (1), p.188-193
1987
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Proposal for the formation of a minority carrier injecting contact on wide bandgap semiconductors
Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.117 (1), p.913-917
1992
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Characterization of CdSe/ZnTe heterojunctions
Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1), p.820-822
1991
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Forming of Al-doped ZnTe epilayers grown by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.117 (1), p.1050-1054
1992
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Interband tunneling in InAs/GaSb/AlSb heterostructures
Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1), p.664-668
1991
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Mbe-Growth of InAs and GaSb Epitaxial Layers on GaAs Substrates
MRS proceedings, 1989, Vol.145, Article 409
1989
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