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Impact of the ridge etching‐depth on GaSb‐based laser diodes
Electronics letters, 2022-02, Vol.58 (4), p.162-163
2022
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Oxide-confined mid-infrared VCSELs
Electronics letters, 2012-12, Vol.48 (25), p.1616-1618
2012
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Mid-infrared GaSb-based EP-VCSEL emitting at 2.63 μm
Electronics letters, 2009-02, Vol.45 (5), p.265-267
2009
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Broad continuous tunable range with single frequency Sb-based external-cavity VCSEL emitting in MIR
Electronics letters, 2009, Vol.45 (12), p.629-631
2009
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GaSb-based monolithic EP-VCSEL emitting above 2.5 μm
Electronics letters, 2008-11, Vol.44 (23), p.1357-1359
2008
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Room-temperature, monolithic, electrically-pumped type-L quantum-well Sb-based VCSELs emitting at 2.3 μm
Electronics letters, 2008-01, Vol.44 (3), p.203-205
2008
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Broad continuous tunable range with single frequency Sb-based external-cavity VCSEL emitting in MIR
Electronics letters, 2009-06, Vol.45 (12), p.1-1
2009
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Mid-IR lasing from highly tensile-strained, type II, GaInAs/GaSb quantum wells
Electronics letters, 2009, Vol.45 (25), p.1320
2009
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Oxide-confined mid-infrared VCSELs
Electronics letters, 2012-12, Vol.48 (25), p.1-1
2012
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InAs/GaSb short-period superlattice injection lasers operating in 2.5 μm-3.5 μm mid-infrared wavelength range
Electronics letters, 2007-11, Vol.43 (23), p.1285-1287
2007
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Mid-infrared GaSb-based EP-VCSEL emitting at 2.63 µm
Electronics letters, 2009-02, Vol.45 (5), p.1
2009
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Mid-Infrared GaSb-based EP-VCSEL emitting at 2.63 µm
Electronics letters, 2009-02, Vol.45 (5), p.265-266
2009
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Mid-infrared GaSb-based EP-VCSEL emitting at 2.63 mu m
Electronics letters, 2009-02, Vol.45 (5), p.1-1
2009
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Mid-infrared GaSb-based EP-VCSEL emitting at 2.63 [micro sign]m
Electronics letters, 2009, Vol.45 (5), p.265
2009
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GaSb-based monolithic EP-VCSEL emitting above 2.5 µm
Electronics letters, 2008-11, Vol.44 (23), p.1
2008
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GaSb-based monolithic EP-VCSEL emitting above 2.5 mu m
Electronics letters, 2008-11, Vol.44 (23), p.1-1
2008
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Low threshold, room temperature laser diode pumped Sb-based VECSEL emitting around 2.1 μm
Electronics letters, 2003-02, Vol.39 (3), p.290-292
2003
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2.36 μm diode pumped VCSEL operating at room temperature in continuous wave with circular TEM00 output beam
Electronics letters, 2004-07, Vol.40 (14), p.869-871
2004
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  • BibTeX
Mid-IR lasing from highly tensile-strained, type II, GaInAs/GaSb quantum wells
Electronics letters, 2009-12, Vol.45 (25), p.1-1
2009
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Room-temperature, monolithic, electrically-pumped type-L quantum-well Sb-based VCSELs emitting at 2.3 µm
Electronics letters, 2008-01, Vol.44 (3), p.1
2008
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Room-temperature, monolithic, electrically-pumped type-L quantum-well Sb-based VCSELs emitting at 2.3mum
Electronics letters, 2008-01, Vol.44 (3), p.203-205
2008
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  • BibTeX
GaSb-based monolithic EP-VCSEL emitting above 2.5 [micro sign]m
Electronics letters, 2008, Vol.44 (23), p.1357, Article 1357
2008
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Room-temperature, monolithic, electrically-pumped type-L quantum-well Sb-based VCSELs emitting at 2.3 [micro sign]m
Electronics letters, 2008, Vol.44 (3), p.203
2008
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  • BibTeX
Room-temperature, monolithic, electrically-pumped type-L quantum-well Sb-based VCSELs emitting at 2.3 mu m
Electronics letters, 2008-01, Vol.44 (3), p.1-1
2008
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Hole-well antimonide laser diodes on GaSb operating near 2.93 μm
Electronics letters, 2006-11, Vol.42 (24), p.1400-1402
2006
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