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Below band-gap optical absorption and photoluminescence excitation spectroscopy at room temperature in low-defect-density bulk GaN:Fe
Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (3), p.031908-031908-3
2012
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Room-temperature electroluminescence of AlSb∕InAsSb single quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (13)
2006
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InAs(PSb)-based “W” quantum well laser diodes emitting near 3.3 μm
Applied physics letters, 2000-05, Vol.76 (18), p.2499-2501
2000
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Photoelectric properties of self-supporting porous silicon
Applied physics letters, 1994-06, Vol.64 (23), p.3118-3120
1994
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Erratum: "Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in Ga As ∕ Al Ga As heterostructure" [Appl. Phys. Lett. 92, 012101 (2008)]
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (10), p.109904-109904-1
2008
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Erratum: “Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs∕AlGaAs heterostructure” [Appl. Phys. Lett. 92, 012101 (2008)]
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (10)
2008
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Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs ∕ AlGa As heterostructure
Applied physics letters, 2008-01, Vol.92 (1), p.012101-012101-3
2008
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Elongation of InAs∕GaAs quantum dots from magnetophotoluminescence measurements
Applied physics letters, 2006-10, Vol.89 (15)
2006
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Study of InAs quantum dots in Al Ga As ∕ Ga As heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy
Applied physics letters, 2007-07, Vol.91 (4), p.042110-042110-3
2007
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Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs∕AlGaAs heterostructure
Applied physics letters, 2008-01, Vol.92 (1)
2008
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Elongation of In As ∕ Ga As quantum dots from magnetophotoluminescence measurements
Applied physics letters, 2006-10, Vol.89 (15), p.153108-153108-3
2006
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Study of InAs quantum dots in AlGaAs∕GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy
Applied physics letters, 2007-07, Vol.91 (4)
2007
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Room-temperature electroluminescence of Al Sb ∕ In As Sb single quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (13), p.132102-132102-3
2006
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